一种测量硅片扩散长度的表面处理方法.pdf
小长****6淑
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一种测量硅片扩散长度的表面处理方法.pdf
本发明提供一种测量硅片扩散长度的表面处理方法,包括如下步骤,将原生硅片在酸液中漂洗,漂洗后用去离子水清洗,去除残留漂洗液后烘干,再利用等离子体气相化学沉积法在硅片表面沉积氮化硅薄膜,将沉积了氮化硅薄膜的硅片放入烧结炉烧结,最后将烧结完的硅片冷却至室温后放入SemiLab?PV2000测试设备的样品台测试,结果SPV8、SPV6信号均明显增强,线性比LR显著增大,完全达到测试设备要求。
一种硅片表面处理装置.pdf
本实用新型公开了一种硅片表面处理装置,包括底座,所述底座的侧边设有电动升降杆,所述底座上设有转盘,所述转盘的底部与底座内的旋转电机相连接,所述转盘上设有多个夹持机构,本实用新型结构简单,设计新颖,特设的夹持机构不仅可对硅片进行定位,保证硅片在抛光过程中,不会随意移动,大大降低了硅片边缘被擦伤的风险,而且只需要通过调整夹持机构的松紧,即可轻松的将硅片取出,方便快捷。
一种硅片扩散装置及硅片插片方法.pdf
本发明公开一种硅片扩散装置包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟;所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端;所述石英舟设置在支架上侧,且两者均设置在炉管内部;所述排气管一端设置在炉管的内部,另一端由炉管内向外延伸;所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒;所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽,且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。同时公开了一种硅片插片方法是将背靠背水平叠放的两硅片沿上述硅片扩散装置的卡槽开设方向平行插入所述卡槽内。本发明使硅片扩散后方阻均匀性良好,从而能获得更好的扩散效果,并且易于
一种晶体硅片及其扩散方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅片的扩散方法,包括如下步骤:(1)将晶体硅片进行制绒、清洗;(2)进行恒定源扩散,炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气,扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变;(3)去除杂质玻璃,清洗;(4)进行限定源扩散,扩散过程中只通入氮气和氧气,且氮气和氧气流量保持不变;(5)扩散结束,取出硅片;所述硅片的表面掺杂浓度为1×1020~5×1020atom/cm3;其PN结的结深为0.5~1微米。本发明的扩散方法有效的降低了因表面掺杂浓度高导致的“死层”效应,减少了表面
一种太阳能级多晶硅片表面处理方法.pdf
本发明公开了一种太阳能级多晶硅片表面处理方法,采用粒度直径在12‑16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨;采用粒度直径在1.5‑2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨;将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光,去除多晶硅片表面的研磨产生的损伤层;用强碱弱酸盐对得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;将得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光;用强碱弱酸盐对得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;对得到的多晶硅片进行清洗和烘干。本发明得到的多晶硅片硬度高、表面光滑。