一种晶体硅片及其扩散方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102737964102737964B(45)授权公告日2015.02.11(21)申请号201210224373.80015段至第0017段，附图1.CN101217170A,2008.07.09,说明书(22)申请日2012.07.02第3段至第11段.(73)专利权人苏州阿特斯阳光电力科技有限公WO2008/043827A2,2008.04.17,全文.司US2008/0197454A1,2008.08.21,全文.地址215129江苏省苏州市苏州高新区鹿山审查员张志芳路199号专利权人阿特斯（中国）投资有限公司(72)发明人李清峰龙维绪张凤王栩生章灵军(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103代理人陶海锋陆金星(51)Int.Cl.H01L21/223(2006.01)H01L31/0352(2006.01)(56)对比文件CN102522449A,2012.06.27,说明书第权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称一种晶体硅片及其扩散方法(57)摘要本发明公开了一种晶体硅片的扩散方法，包括如下步骤：(1)将晶体硅片进行制绒、清洗；(2)进行恒定源扩散，炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气，扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变；(3)去除杂质玻璃，清洗；(4)进行限定源扩散，扩散过程中只通入氮气和氧气，且氮气和氧气流量保持不变；(5)扩散结束，取出硅片；所述硅片的表面掺杂浓度为1×1020~5×1020atom/cm3；其PN结的结深为0.5~1微米。本发明的扩散方法有效的降低了因表面掺杂浓度高导致的“死层”效应，减少了表面光生载流子的俄歇复合，提高少子寿命。CN102737964BCN10273964BCN102737964B权利要求书1/1页1.一种晶体硅片的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将晶体硅片进行制绒、清洗；(2)将上述晶体硅片进行恒定源扩散，炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气，扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变；(3)将上述恒定源扩散之后的硅片去除杂质玻璃，清洗；(4)将上述硅片进行限定源扩散，扩散过程中只通入氮气和氧气，且氮气和氧气流量保持不变；(5)扩散结束，取出硅片；所述硅片的表面掺杂浓度为1×1020~5×1020atom/cm3；其PN结的结深为0.5~1微米；所述步骤(2)中，所述恒定源扩散为变温扩散，扩散温度由840℃~860℃降至800℃~820℃，扩散时间为10~30min。2.根据权利要求1所述的晶体硅片的扩散方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述携带扩散源的氮气的流量为800~1000sccm，纯氮气的流量为5~20slm，氧气流量为300~800sccm。3.根据权利要求1所述的晶体硅片的扩散方法，其特征在于：所述步骤(4)中，氮气流量为1~8slm，氧气流量为300~800sccm；所述限定源扩散为恒温扩散，扩散温度为830℃~870℃，扩散时间为20~80min。4.根据权利要求1所述的晶体硅片的扩散方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述恒定源扩散之后获得的硅片的方块电阻为125~150欧姆/sq。5.根据权利要求1所述的晶体硅片的扩散方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述限定源扩散之后获得的硅片的方块电阻为60~90欧姆/sq。6.根据权利要求1所述的晶体硅片的扩散方法，其特征在于：所述步骤(5)得到的硅片的表面掺杂浓度为2×1020~3×1020atom/cm3；其PN结的结深为0.6~0.8微米。7.由权利要求1至6中任一项所述的扩散方法制得的晶体硅片。8.根据权利要求7所述的晶体硅片，其特征在于：所述晶体硅片的表面掺杂浓度为1×1020~5×1020atom/cm3；其PN结的结深为0.5~1微米。9.根据权利要求7所述的晶体硅片，其特征在于：所述晶体硅片的表面掺杂浓度为2×1020~3×1020atom/cm3；其PN结的结深为0.6~0.8微米。2CN102737964B说明书1/3页一种晶体硅片及其扩散方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶体硅片及其扩散方法，该晶体硅片可用来制备太阳能电池片，属于太阳电池领域。背景技术[0002]常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。因此，