多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102320605A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102320605A(43)申请公布日2012.01.18(21)申请号201110185384.5(22)申请日2011.07.01(71)申请人中国恩菲工程技术有限公司地址100038北京市海淀区复兴路12号(72)发明人严大洲肖荣晖毋克力汤传斌汪绍芬姚心(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人宋合成(51)Int.Cl.C01B33/03(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称多晶硅还原炉(57)摘要本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；三十六对电极，所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。根据本发明实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。CN102365ACCNN110232060502320609A权利要求书1/1页1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；三十六对电极，所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第一、第二、第三和第四圆周上沿圆周方向依次均匀分布有三对、七对、十一对和十五对电极。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴分别分布于所述底盘中心处和第五、第六和第七圆周上，所述第五、第六和第七圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴的数量为十九个，其中在所述第五、第六和第七圆周上分别均匀分布有四个、六个和八个喷嘴。5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气系统还包括：进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；十九个进气管，所述十九个进气管分别与所述十九个喷嘴一一对应且所述十九个喷嘴通过所述十九个进气管与所述进气环管相连接。6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个排气口的数量为六个。7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体内设有第二冷却腔且所述第二冷却腔连接有第二冷却介质进口和第二冷却介质出口，所述第二冷却介质进口位于所述炉体的底部且所述第二冷却介质出口位于所述炉体的顶部，所述第二冷却腔内设有多个隔流挡板，所述多个隔流挡板在所述第二冷却腔内由下至上绕所述反应腔室呈螺旋状分布。9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体包括位于下部的筒体和设在所述筒体顶端的封头，所述封头为中空半球体。10.根据权利要求9所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体上还设有多个观察镜，所述多个观察镜在所述筒体的高度方向上均匀分布成多排且所述多个观察镜沿所述筒体的周向均匀分布。2CCNN110232060502320609A说明书1/5页多晶硅还原炉技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域，特别是涉及一种多晶硅还原炉。背景技术[0002]多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。因此，多晶硅还原炉的设计和制造，直接影响到产品的质量、产量和生产成本。随着全球经济危机的影响下，多晶硅的价格持续下降，产业利润不断被压缩，市场竞争日趋激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高产品质量，提高生产效率，是目前多晶硅生产企业需要解决的重要问题。[0003]目前生产多晶硅主要采用“改良西门子法”，通常将一定配比的三氯氢硅(Si