一种高导电率低锡青铜带的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102321827A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102321827A(43)申请公布日2012.01.18(21)申请号201110299396.0(22)申请日2011.09.25(71)申请人宁波市鄞州锡青铜带制品有限公司地址315137浙江省宁波市鄞州区云龙镇双桥村(72)发明人唐存国(51)Int.Cl.C22C9/02(2006.01)C22C1/02(2006.01)C22F1/08(2006.01)B22D11/045(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种高导电率低锡青铜带的制备方法(57)摘要本发明提供了一种高导电率低锡青铜带的制备方法，属于冶金熔炼领域。它解决了现有的青铜带其导电率低的问题。该方法包括以下步骤：(1)按照如下质量分数配制原料：锡2.5～7.0％，磷0.08～0.25％，镍0.10～0.25％，余量为铜和杂质，且所述杂质的质量分数小于0.15％；在熔化炉中将配好的原料熔化，熔化炉内原料温度为1180～1240℃；(2)利用所述原料进行熔铸，熔铸温度为1140～1200℃，得到青铜带卷坯；(3)对所述青铜带卷坯进行铣面，然后进行粗轧开坯，得到青铜带卷；(4)对所述青铜带卷中间退火，退火温度为520～630℃，保温4.5～6小时，然后依次进行酸洗、中轧、低温热处理、表面清洗钝化，最后拉弯矫得到高导电率低锡青铜带成品。本方法制得的青铜带具有导电率高、机械性能好的优点。CN102387ACCNN110232182702321834A权利要求书1/1页1.一种高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照如下质量分数配制原料：锡1.5～7.0％，磷0.08～0.25％，镍0.10～0.25％，余量为铜和包括质量分数小于0.1％铁的杂质，所述杂质的质量分数小于0.15％；在熔化炉中将配好的原料熔化，熔化炉内原料温度为1180～1240℃；(2)利用所述原料进行熔铸，熔铸温度为1140～1200℃，得到青铜带卷坯；(3)对所述青铜带卷坯进行铣面，然后进行粗轧开坯，得到青铜带卷；(4)对所述青铜带卷中间退火，退火温度为520～630℃，保温4.5～6小时，然后依次进行酸洗、中轧、低温热处理、表面清洗钝化、最后拉弯矫直后得到高导电率低锡青铜带成品。2.根据权利要求1所述的高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的原料的质量分数为：锡2.0～3.0％，磷0.1～0.2％，镍0.15～0.20％，余量为铜和包括质量分数小于0.1％铁的杂质。3.根据权利要求1或2所述的高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)、步骤(2)之间还包括步骤(20)：将步骤(1)得到的原料搅拌、捞渣、取样分析并调整成分，成分符合要求后将其转入保温炉内，所述保温炉内原料的温度为1140～1200℃。4.根据权利要求3所述的高导电率低锡青铜带的制备工艺，其特征在于，所述步骤(20)中的取样分析采用可逐层分析的直读光谱分析仪进行分析。5.根据权利要求1所述的高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的熔铸工艺采用水平连铸，其工艺参数为拉12.8～14.8mm、停2.5～3.2s、反推1.6～3.2mm，铸造速度为160～190mm/min，青铜带卷坯出口温度380～450℃。6.根据权利要求1或5所述的高导电率低锡青铜带的制备工艺，其特征在于，所述步骤(2)得到的青铜带卷坯厚度为14.0～16.5mm，所述步骤(3)得到的青铜带卷厚度为5.6～9.2mm，所述步骤(4)得到的青铜带成品厚度为0.06～1.2mm。2CCNN110232182702321834A说明书1/4页一种高导电率低锡青铜带的制备方法技术领域[0001]本发明属于冶金熔炼领域，涉及一种青铜带的制备方法，特别是一种高导电率低锡青铜带的制备方法。背景技术[0002]对电子行业来说，通常希望青铜带具有较高的导电率，以便于制作电气触点、引线框架等。而常用的锡青铜其锡的质量分数通常在3.5～9.0％之间，虽然具有较高的强度、弹性和良好的塑性，但是导电率只有8～17％之间。而要满足电子行业的要求，导电率通常要达到27％以上，也即相当于H70黄铜的导电率。已知H70黄铜的成分中铜占68.5～71.5％，余下为锌及杂质如铅、铁等，且杂质的质量分数小于0.3％。但是如果减小锡青铜中的锡含量以提高电导率，会造成机械强度下降的问题。因此，要提高导电率又要保证抗拉强度基本等于或接近于QSn4-0.3的锡青铜带，必须从成分和工艺两方面提出改进。发明内容[0003]本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种高导电率低锡青铜带的制备方法，使得制得的青铜