新型单晶炉热场.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102345160A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102345160A(43)申请公布日2012.02.08(21)申请号201110231905.6(22)申请日2011.08.14(71)申请人上海合晶硅材料有限公司地址201617上海市松江区贵南路500号(72)发明人尚海波韩建超沈杨宇(74)专利代理机构上海脱颖律师事务所31259代理人李强(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称新型单晶炉热场(57)摘要本发明公开了一种新型单晶炉热场，包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；其特征在于，所述加热器与电极通过螺丝连接，螺丝平行于炉筒轴向设置。本发明中，上保温筒比下保温筒距离石墨坩埚更近，增加了加热器的隔热档板，降低了加热器向上的辐射，减少了热能损失。本发明在炉底垫放了保温碳毡，降低了加热器的热能损失。加热器电极脚与电极连接部分，由侧面连接改为上下接触面连接，减少电极打火几率，可减少石墨部件损坏几率，并降低电能损耗。CN1023456ACCNN110234516002345180A权利要求书1/1页1.新型单晶炉热场，包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；其特征在于，所述加热器与电极通过螺丝连接，螺丝平行于炉筒轴向设置。2.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述的加热器上方设置有隔热挡板。3.根据权利要求2所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述保温筒包括上保温筒和下保温筒，上保温筒与下保温筒连接，所述的上保温筒内壁比下保温筒内壁更靠近石墨坩埚。。4.根据权利要求3所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述保温筒内设置有隔热挡板，所述隔热挡板设置于上保温筒与下保温筒之间。5.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述加热器下方设置有保温挡圈。2CCNN110234516002345180A说明书1/2页新型单晶炉热场技术领域[0001]本发明涉及一种新型单晶炉热场。背景技术[0002]随着半导体市场竞争的日趋激烈，降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。节能降耗已成为国家近几年的规划目标。目前单晶硅生产过程中的主要用电负载为单晶炉。单晶炉的耗电量占总用电量的45％，耗电量大是单晶生长的一个大问题，如何能在确保单晶产量的前提下，达到节能降耗的目标是一个急需解决的问题。图1为一种单晶炉热场的轴向剖视图，其结构包括炉筒1，炉筒1内设置有石墨坩埚2和石英坩埚3。石英坩埚3设置于石墨坩埚2内。围绕石墨坩埚2设置有加热器4，加热器4通过加热器电极脚5与电极6连接。加热器电极脚5通过加热器螺丝7与电极6连接。加热器螺丝7垂直于炉筒1的轴向设置，即加热器螺丝7横向设置。围绕加热器4设置有保温筒8。保温筒8为直筒型，上下直径一致。在加热器4下方，未设置任何保温装置。这种单晶炉热场的缺点在于，石英坩埚3上方无任何遮挡装置，导致热能通过辐射散发，热能损失比较大。加热器螺丝7除用于连接加热器电极脚5与电极6外，还具有导电作用。但在实际使用过程中，加热器螺丝7由于受力的原因，容易损坏，并导致加热器电极脚5与电极6接触面不紧密，产生打火现象，造成部件损坏。加热器4下方未设置保温装置，无法避免热能从加热器下方散发造成损耗。发明内容[0003]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种节能的新型单晶炉热场。[0004]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：[0005]新型单晶炉热场，包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；其特征在于，所述加热器与电极通过螺丝连接，螺丝平行于炉筒轴向设置。[0006]优选地是，所述的加热器上方设置有隔热挡板。[0007]优选地是，所述保温筒包括上保温筒和下保温筒，上保温筒与下保温筒连接，所述的上保温筒内壁比下保温筒内壁更靠近石墨坩埚。。[0008]优选地是，所述保温筒内设置有隔热挡板，所述隔热挡板设置于上保温筒与下保温筒之间。[0009]优选地是，所述加热器下方设置有保温挡圈。[0010]本发明中的新型单晶热场，上保温筒内壁比下保温筒内壁距离石墨坩埚更近，并设置了隔热档板，可以阻挡加热器向上的热辐射，减少热能损失。本发明在炉底垫放了保温碳毡，也可以降低热能损失。加热器电极脚与电极连接部分，由侧面连接改为上下接触面连接，可减少石墨部件损坏几率，减少电极打火几率，并降低电能损耗。3CCNN110234516002345180A说明书2/2页附图说明[0011]图1为一种单晶炉热场轴向剖视图。[0012]图2为本发明中的单晶炉热场轴向剖视