新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103510154103510154A(43)申请公布日2014.01.15(21)申请号201210225961.3(22)申请日2012.06.30(71)申请人上海合晶硅材料有限公司地址201617上海市松江区贵南路500号(72)发明人韩建超沈杨宇(74)专利代理机构上海脱颖律师事务所31259代理人李强(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书4页说明书4页附图1页附图1页(54)发明名称新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场(57)摘要本发明公开了一种新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。本发明中的新型单晶炉热场，由于采用设置碳化硅涂层的导流筒，可降低硅单晶棒生产能耗，可降低5%以上。使用本发明中的新型单晶炉热场，拉制的N型<100>轻掺硅单晶的OISF可降低到100个/cm2以下。本发明中的新型单晶炉热场，能有效改善硅单晶棒中的Fe含量，平均值为1.80E+10atoms/cm3，最大值6.91E+10atoms/cm3。扩散长度达到450.2μm。CN103510154ACN10354ACN103510154A权利要求书1/1页1.新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。2.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。3.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。4.拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，包括导流筒，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。5.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。6.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述轻掺硅单晶棒电阻率为0.1-100Ω·cm。7.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。8.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述硅单晶晶向为<100>。9.一种可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，包括导流筒，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。10.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。11.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述轻掺单晶电阻率为0.1-100Ω·cm。12.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述的OISF小于等于100个/cm2。13.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。14.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述硅单晶晶向为<100>。2CN103510154A说明书1/4页新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场技术领域[0001]本发明涉及一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶的新型单晶炉热场及可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场。背景技术[0002]随着半导体市场竞争的日趋激烈，降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。节能降耗已成为国家近几年的规划目标。目前单晶硅生产过程中的主要用电负载为单晶炉。单晶炉的耗电量占总用电量的45%，耗电量大是单晶生长的一个大问题，如何能在确保单晶产量的前提下，达到节能降耗的目标是一个急需解决的问题。[0003]除降低生产能耗外，提高产品质量也是单晶硅生产中的需要考虑的重要因素。衡量硅单晶棒质量的其中两个重要指标，一是OISF，即氧化层错；二是金属杂质含量，尤其是铁含量，铁含量采用每立方厘米的铁原子个数衡量。这两个指标值越小，表示硅单晶棒质量越高。发明内容[0004]本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一