单晶炉的热场结构以及单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109576775A(43)申请公布日2019.04.05(21)申请号201811609485.9(22)申请日2018.12.27(71)申请人徐州鑫晶半导体科技有限公司地址221004江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号(72)发明人蒋昌稳郑加镇(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人赵天月(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称单晶炉的热场结构以及单晶炉(57)摘要本发明公开了单晶炉的热场结构和单晶炉，其中，单晶炉的热场结构包括：石墨承盘；碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。由此，通过在碳碳坩埚200底表面和/或部分侧面上设置保护部件300，不仅可以对碳碳坩埚200的底表面进行保护，减少碳碳坩埚200上裸露在外碳碳复合材受到SiOx的侵蚀破坏，延长碳碳坩埚的使用寿命，减少更换次数，还可以达到填充石墨承盘100与碳碳坩埚200之间缝隙的效果，进而对石墨承盘100也起到的保护作用。CN109576775ACN109576775A权利要求书1/2页1.一种单晶炉的热场结构，其特征在于，包括：石墨承盘；碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。2.根据权利要求1所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：石墨承盘台阶、石墨纸和涂层中的至少一种。3.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨承盘台阶设置在所述石墨承盘上，且向上延伸包裹所述碳碳坩埚的底端。4.根据权利要求3所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨承盘台阶的外表面形成为向下向外的斜面。5.根据权利要求4所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨阶梯台阶的高度为1-20mm，宽度为1-10mm。6.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨纸覆盖在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，所述石墨纸的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面100～400mm。7.根据权利要求6所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨纸的厚度为0.1mm-10mm。8.根据权利要求7所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨纸的灰度为1-100ppm。9.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层形成在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，所述涂层的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面1-30mm。10.根据权利要求9所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层包括两层，其中，第一层所述涂层形成在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，第一层所述涂层的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面1-30mm；第二层所述涂层形成在所述石墨承盘的上表面且延伸至所述石墨承盘的侧面，第二层所述涂层的外沿距离所述石墨承盘的上表面1-10mm。11.根据权利要求9或10所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层的厚度为1-200um。12.根据权利要求11所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层为碳化硅涂层或石墨烯涂层。13.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：所述石墨纸和所述涂层，所述石墨纸设置在所涂层的外表面上。14.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：所述石墨承盘台阶和所述涂层，所述石墨承盘台阶包裹在所述涂层的外表面上。15.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：所述石墨承盘台阶和所述石墨纸，所述石墨承盘台阶包裹在所述石墨纸的外表面上。16.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：石墨承盘2CN109576775A权利要求书2/2页台阶、石墨纸和涂层，所述石墨纸设置在所述涂层的外表面上，所述石墨承盘台阶包裹在所述石墨纸的外表面上。17.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉具有权利要求1-16任一项所述的单晶炉的热场结构。3CN109576775A说明书1/7页单晶炉的热场结构以及单晶炉技术领域[0001]本发明属于单晶硅领域，具体而言，本发明属于单晶炉的热场结构以及单晶炉。背景技术[0002]随着长晶炉使用二次或多次加料，单炉生长时间加长，石墨材长时间与气化Si反应，一部分生成SiOx，另一部分形成SiC，但大部分气化Si则随着真空系统被排出，形成SiOx部分，SiOx+C→SiO+CO2，SiOx会侵蚀石墨材质零件。此外，