一种气相沉积用导流防尘控气盘及气相沉积炉内洁净生产的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102400110A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102400110A(43)申请公布日2012.04.04(21)申请号201110400858.3(22)申请日2011.12.06(71)申请人刘汝强地址251200山东省德州市禹城市南环东路88号(72)发明人刘汝强(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司37219代理人吕利敏(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种气相沉积用导流防尘控气盘及气相沉积炉内洁净生产的方法(57)摘要本发明涉及一种气相沉积用导流防尘控气盘，包括顶盖和侧壁，所述的侧壁的上端与顶盖外边缘固定连接，围成喇叭状结构；所述侧壁的底端敞口为控气盘气体进入端，在所述侧壁上设有水平出气通孔，在侧壁的下端外边缘水平设置有唇边。本发明的导流防尘控气盘整体呈喇叭状，反应气体通过控气盘气体进入端进入控气盘，并沿所述的水平出气通孔喷出，而炉口落下的杂质颗粒却被本控气盘阻挡，沉积于唇边与炉壁之间的空隙中，保证了SiC涂层产品的性能和质量。出气孔水平设置也有效地避免了由于杂质颗粒的沉落而产生的堵塞。CN1024ACCNN110240011002400109A权利要求书1/1页1.一种气相沉积用导流防尘控气盘，其特征在于，包括顶盖和侧壁，所述的侧壁的上端与顶盖外边缘固定连接，侧壁整体成喇叭状；在所述侧壁上设有水平出气通孔，在侧壁的底端外边缘水平设置有唇边；所述侧壁的底端敞口为控气盘气体进入端，反应气体通过该控气盘气体进入端进入控气盘，并沿所述侧壁上的水平出气通孔喷出。2.根据权利要求1所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述的侧壁为多层圆环形阶梯结构；所述圆环形阶梯包括垂直连接壁，所述的水平出气通孔设在垂直连接壁上；两相邻的垂直连接壁之间是水平的或倾斜的环面。3.根据权利要求2所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述垂直连接壁之间的水平或倾斜环面上设置有凹槽。4.根据权利要求3所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述凹槽为环形凹槽。5.根据权利要求2所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述垂直连接壁之间的倾斜环面与水平方向的夹角为20-40°。6.根据权利要求2所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述的圆环形阶梯的层数为3～5层；优选为3层。7.根据权利要求2所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述的圆环形阶梯的垂直连接壁高度相等。8.根据权利要求1-7任意一项所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述顶盖直径与控气盘气体进入端的直径比为1∶(2.5～3)。9.根据权利要求8所述的导流防尘控气盘，其特征在于，所述顶盖直径与控气盘气体进入端的直径比为1∶2.5。10.一种气相沉积炉内洁净生产的方法，包括利用权利要求1-9任意一项所述的导流防尘控气盘，将所述的导流防尘控气盘架设在气相沉积炉沉积室内待涂层产品和炉口之间，罩在待涂层产品上方，其中所述控气盘底端外缘唇边的外径与气相沉积室内壁的内径相适应，反应气体通过该控气盘气体进入端进入控气盘，反应气体沿水平出气通孔喷出，炉口散落的杂质颗粒被阻挡在导流防尘控气盘外表面，沉积于唇边与气相沉积炉内壁之间的空隙中。2CCNN110240011002400109A说明书1/4页一种气相沉积用导流防尘控气盘及气相沉积炉内洁净生产的方法技术领域[0001]本发明涉及一种在气相沉积炉内用的导流防尘控气盘及气相沉积炉内洁净生产的方法，属于气相沉积生产技术领域。背景技术[0002]碳化硅(SiC)涂层具有优异的抗氧化性、耐高温性、良好的加工性、高致密性，因而SiC涂层是高温条件下抗氧化涂层的最佳选择。其中化学气相沉积(CVD)法是制备SiC涂层最有前景的方法：该方法特别适合向外形复杂的部件外表面沉积SiC涂层，或者向部件的内表面沉积SiC涂层；该方法能在相对较低温度下进行SiC涂层制备。此外，CVD法生产的SiC涂层具有很高的致密度和纯度，性能优异。但是利用CVD法在气相沉积室内进行生产时，难免会有杂质物质落在涂层表面，不但影响涂层的外观，对涂层的性能也有较大的影响。如沉积炉呈下进气、上出气的方式进行生产时，产品上部的控气盘和炉口上保温盖在放置及生产过程中会有大量的颗粒和杂质脱落到产品表面，导致产品有肉眼可见的密麻的颗粒杂质，触摸时有挡手、刺手感觉，对SiC涂层的纯度、结构及性能造成严重影响，降低了产品质量。因此，保持生产环境洁净是提高SiC涂层产品质量的重要条件之一。[0003]现有提高气相沉积炉内洁净度的方法是：1、用大功率吸尘器对沉积炉内每个部位进行彻底抽吸除尘；2、用洁净布对需涂层的基体进行擦拭；3、用≥0.05兆帕的氮气对进气管道和夹具等进行吹扫，在进气管道上安装气体精细过