一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102517629A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102517629A(43)申请公布日2012.06.27(21)申请号201110420186.2(22)申请日2011.12.15(71)申请人江西旭阳雷迪高科技股份有限公司地址332005江西省九江市经济开发区出口加工区外锦绣大道1号(72)发明人牛冬梅胡荣星(74)专利代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司36115代理人施秀瑾(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书33页页附图附图22页(54)发明名称一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法(57)摘要一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法，包括装料完成，合上炉盖炉体，将翻板阀盖上，同时打开副室炉门；将籽晶或细颈降下，直至籽晶或细颈刚触碰到翻板阀顶部的一个中心螺丝，此时把控制面板上的晶体位置清零，设为零位置A；晶体位置清零后，将籽晶上升到副室炉内，而后进行抽空检漏、三次升温加热化料；化料结束，及时开启埚转，上升埚位，下降功率，引晶前1-2小时，将籽晶分多次缓慢下降；引晶找温度前30-40分钟，将籽晶再次下降，直至下降到多炉拉过整棒时的晶体位置B；将晶体位置固定好后，将埚位缓慢上升，一直上升到液面刚好触碰到籽晶或细颈底部，此时即将埚位固定完好，埚位上升位为C，而后可将籽晶或细颈插入液面，进行引晶找温度。避免了肉眼注视液面距导流筒底部距离的不准确性，也避免了直接看埚位刻度尺因每炉次炉内硅料的不确定性。具有找位准确、稳定的特点，且操作简单、方便。CN1025769ACN102517629A权利要求书1/1页1.一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法，其特征在于，包括1）装料完成，合上炉盖炉体，将翻板阀盖上，同时打开副室炉门；2）将籽晶或细颈降下，直至籽晶或细颈刚触碰到翻板阀顶部的一个中心螺丝，此时把控制面板上的晶体位置清零，设为零位置A；3）晶体位置清零后，将籽晶上升到副室炉内，而后进行抽空检漏、三次升温加热化料；4）化料结束，及时开启埚转，上升埚位，下降功率，引晶前1-2小时，将籽晶分多次缓慢下降；5）引晶找温度前30-40分钟，将籽晶再次下降，直至下降到多炉拉过整棒时的晶体位置B；6）将晶体位置固定好后，将埚位缓慢上升，一直上升到液面刚好触碰到籽晶或细颈底部，此时即将埚位固定完好，埚位上升位为C，而后可将籽晶或细颈插入液面，进行引晶找温度。2CN102517629A说明书1/3页一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法技术领域[0001]本发明涉及一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法。背景技术[0002]引晶是单晶拉制工艺过程中最重要的一步，它的目的是为了排除晶体位错；在引晶前需对硅液面的温度进行调控，也即找温度，引晶埚位的高度对引晶温度有很大想象，埚位越低温度越高，埚位越高温度越低。[0003]B段引晶：单晶在生长过程中棱线脱落，晶体就由单晶转化为多晶，如长度大于400mm(不同的工艺和晶棒尺寸要求不同)，此时就将该段收假尾而后脱离液面，在炉内冷却一段时间后做为A段取出；对埚内剩余的硅液体进行重新引晶，拉制B段，此时的引晶成为B段引晶；在同一炉台中，B段引晶温度要高于A段时的引晶温度。[0004]籽晶：籽晶就是单晶拉制中的“种子”，什么型号的籽晶就生长什么类型的单晶，籽晶是装到到重锤卡头内；在引晶过程中，就是将籽晶插入硅液面，而后籽晶熔接完好后，先引一段30mm左右长粗颈（直径12-17mm），而后再引一段120mm左右长细颈（直径4-6mm）。[0005]细颈：引晶引出的那一段120mm左右长的晶体（直径4-6mm）。在晶棒拉制完，取出晶棒时，应用老虎钳剪断细颈，使晶棒脱离重锤。[0006]在直拉法（CZ法）单晶拉制过程中，引晶是其拉制过程中重要的一个工艺过程；而在引晶过程中，引晶埚位（即坩埚位置）对引晶过程的温度控制有直接影响。一般来说，22英吋热场拉制8英吋晶棒，液面距导流筒的距离在15-25mm之间；埚位偏低，引晶较为困难，晶体成活率低；埚位偏高，晶体成活率高，但在等径过程中易发生液面抖动，造成晶体断棱。[0007]引晶在调整埚位时，常见的有两种方式：一是通过肉眼注视硅液面倒影与导流筒的距离来上升下降埚位，这种方式操作简单明了，也是最常用的方法，但准确性不高，需操作工有较深厚的拉制经验；二是查看每炉拉过整棒时埚位，通过调节埚位刻度尺达到整棒时的埚位；此种方式操作也较为简单，也比较准确，但需保证每炉的投料重量和提肩重量一致，如是B段引晶或炉内重量发生变化就不适应这种方式。发明内容[0008]本发明其目的就在于提供一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法，避免了肉眼注视液面距导流筒底部距离的不准确性，也避免了直接看埚位刻度尺因每