单晶炉引晶温度寻找和控制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102586864102586864B(45)授权公告日2014.09.24(21)申请号201210077752.9JP特开2004-149368A,2004.05.27,(22)申请日2012.03.22审查员王富强(73)专利权人江苏拜尔特光电设备有限公司地址214264江苏省无锡市宜兴市芳桥镇工业园区(72)发明人袁玉平(74)专利代理机构常州市江海阳光知识产权代理有限公司32214代理人林倩(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)(56)对比文件CN101565851A,2009.10.28,CN201962418U,2011.09.07,权利要求书1页权利要求书1页说明书3页说明书3页(54)发明名称单晶炉引晶温度寻找和控制方法(57)摘要一种单晶炉引晶温度寻找和控制方法，在化料过程中，计算机不断接收到来自测温装置的温度信息，当计算机跟踪到至少5分钟时间内测温装置测得的温度恒定在某一数值上，计算机自动将该温度设定为引晶温度，维持最大化料功率，当到达设定的后段化料时间，计算机指令降低加热装置的功率，计算机根据测温装置采集到的温度信息与设定的引晶温度比较，不断调整加热装置功率，直至采集到的温度与设定的引晶温度一致并保持恒定。本发明利用晶体从固态变成液态的熔化过程中温度不变的现象寻找硅晶体的熔化温度，即是引晶温度，本发明简单，但是解决了长期以来单晶炉寻找引晶温度凭经验、费时间的问题。本方法节省时间，节约能源，有利降低成本。CN102586864BCN1025864BCN102586864B权利要求书1/1页1.一种单晶炉引晶温度寻找和控制方法，包括单晶炉，单晶炉具有主炉室以及控制系统，主炉室内设有对坩锅内的硅料加热的加热装置，主炉室外面安装有测温装置，控制系统包括计算机以及显示测温装置所测得的温度变化的显示屏，其特征在于：首先设定参数，参数包括最大化料功率、后段化料时间、化料后的匀温时间，把上述参数输入计算机；计算机程序控制启动加热装置后，逐步加大加热装置的功率，直至达到设定的最大化料功率，在这过程中温度逐渐上升，计算机不断接收到来自测温装置的温度信息，当计算机跟踪到至少5分钟时间内测温装置测得的温度恒定在某一数值上，计算机自动将该温度设定为引晶温度，维持最大化料功率，当到达设定的后段化料时间，计算机指令降低加热装置的功率，计算机根据测温装置采集到的温度信息与设定的引晶温度比较，不断调整加热装置功率，直至采集到的温度与设定的引晶温度一致并保持恒定，恒定的时间达到设定的匀温时间，拉晶开始；后段化料时间为2至5个小时，化料后的匀温时间为20至40分钟。2.一种单晶炉引晶温度寻找和控制方法，包括单晶炉，单晶炉具有主炉室以及控制系统，主炉室内设有对坩锅内的硅料加热的加热装置，主炉室外面安装有测温装置，控制系统包括计算机以及显示测温装置所测得的温度变化的显示屏，其特征在于：首先设定参数，参数包括化料功率，后段化料时间，化料后的匀温时间，把上述参数输入计算机；操作人员启动加热装置后，逐步加大加热装置的功率，直至达到设定的化料功率，在这过程中温度逐渐上升，操作人员通过显示屏监视测温装置的温度信息，当观察到测温装置的温度至少有5分钟时间恒定在某一数值上，操作人员将该数值输入计算机作为引晶温度，维持最大化料功率，当到达设定的后段化料时间，计算机指令降低加热装置的功率，计算机根据测温装置采集到的温度信息与设定的引晶温度比较，不断调整加热装置功率，直至采集到的温度与设定的引晶温度一致并保持恒定，恒定的时间达到设定的匀温时间，拉晶开始；后段化料时间为2至5个小时，化料后的匀温时间为20至40分钟。2CN102586864B说明书1/3页单晶炉引晶温度寻找和控制方法技术领域[0001]本发明涉及单晶炉引晶温度寻找和控制方法。背景技术[0002]目前太阳能光伏发电是大家共认的清洁能源。利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能。在制造太阳能光伏电池过程中，原生多晶硅在高温、高真空状态下通过提拉的形式变成高纯度的单晶棒。在这提拉过程中有一个很重要的环节就是要找到适合晶体生长的拉晶温度，行业中叫引晶温度。引晶温度的控制关系到能不能引晶成功以及拉晶的稳定性。[0003]单晶棒的制作在单晶炉中完成，单晶炉具有主炉室和处于主炉室上方的副室以及处于副室上方的籽晶旋转升降机构，主炉室内设有坩锅，主炉室的筒体上设有观察孔，主炉室由主炉室升降机构带动升降，副室由副室提升机构带动提升，坩锅由坩锅驱动机构带动旋转和升降，籽晶旋转升降机构通过钨丝绳连接籽晶夹头。多晶材料的熔化、拉伸在主炉室内进行。主炉室外部设有测温装置，单晶炉具有控制系统。[000