一种单晶炉引晶埚位的确定方法.pdf

一种单晶炉引晶埚位的确定方法，涉及到直拉法生产单晶硅棒领域，在石墨坩埚中设置一圆盘，且该圆盘的上表面与正常拉晶时液面位置相平齐，然后依次确定上轴的下降行程和下轴的上升行程，从而最终精确确定引晶埚位。本发明通过使用圆盘来精确定位引晶埚位，操作简单，所需工具易于加工、成本低廉，可应用到所有直拉单晶炉，对于不同尺寸的热场，只需要改变圆盘尺寸即可，对于同一单晶炉，调整投料量后，也可以精确定位引晶埚位，可以保证不同炉次的引晶埚位一致，拉制出的单晶棒质量稳定。

2023-06-19

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一种单晶炉拉晶定埚位的精准确定方法.pdf

本发明公开了一种单晶炉拉晶定埚位的精准确定方法，涉及单晶炉技术领域。本发明拉晶定埚位的精准确定方法包括引晶定埚位的确定方法和转肩时埚跟比的确定方法；引晶定埚位的确定方法包括：第一步：确定石英坩埚的内径和外径；第二步：制造一测量辅助盘，且测量辅助盘由固定盘和定位盘组成，固定盘的直径为石英坩埚的外径加上1cm。本发明通过测量辅助盘和石英坩埚的配合，使得装置在使用时能够通过测量辅助盘辅助确定拉晶时引晶步骤的埚位位置，能够通过确定的距离数值来持续加工，且通过对拉晶中转肩步骤结尾时的埚升曲线进行判断，并通过坐标计算

2023-06-15

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一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法.pdf

一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法，包括装料完成，合上炉盖炉体，将翻板阀盖上，同时打开副室炉门；将籽晶或细颈降下，直至籽晶或细颈刚触碰到翻板阀顶部的一个中心螺丝，此时把控制面板上的晶体位置清零，设为零位置A；晶体位置清零后，将籽晶上升到副室炉内，而后进行抽空检漏、三次升温加热化料；化料结束，及时开启埚转，上升埚位，下降功率，引晶前1-2小时，将籽晶分多次缓慢下降；引晶找温度前30-40分钟，将籽晶再次下降，直至下降到多炉拉过整棒时的晶体位置B；将晶体位置固定好后，将埚位缓慢上升，一直上升到液面刚好触碰到籽

2023-06-20

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一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉.pdf

本发明提供一种直拉单晶引晶工艺，包括：采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控，获得若干组所述引晶晶体直径的测试值；取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较；再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内。本发明还提出用以该引晶工艺的单晶炉。本发明提出的引晶工艺，通过两组CCD测得的引晶直径作对比，选择CCD中显示的最小直径为引晶直径，并通过该直径进行引晶调节，获得合格的引晶晶体，且引晶晶体不发生引断，引晶成晶率高。

2023-06-15

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确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法.pdf

本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。

2023-06-15

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