钼铌合金板靶材加工工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102560383A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102560383A(43)申请公布日2012.07.11(21)申请号201210009053.0B22F3/16(2006.01)(22)申请日2012.01.12(71)申请人宝鸡市科迪普有色金属加工有限公司地址721013陕西省宝鸡市东开发区永清工业园钛城路29号(72)发明人陈玉柱(74)专利代理机构宝鸡市新发明专利事务所61106代理人席树文(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书33页页(54)发明名称钼铌合金板靶材加工工艺(57)摘要一种钼铌合金板靶材的加工工艺，按照如下步骤实施：(1)混合：将定量钼粉与铌粉各分为至少三小份，然后每小份钼粉与铌粉再分别混合成小份混合粉，每小份混合粉经过多次混合和过筛后，多个小份混合粉再合成为混合合金粉；然后再将混合合金粉至少分三组分别混料最后合成一起，再混料成为成分均匀的合金粉；(2)成型：经过等静压压成合金坯，进入高温中频炉在氢气保护下烧结，烧结温度分三个温区：0-800℃、800-1600℃、1600-2000℃并且每个温度区至少烧结3小时，最终烧成合金坯状；(3)锻造和轧制：再经过1200-1400℃高温锻造制密后进入高温炉1500-1600℃的加热温度进行轧制成备料规格的板材；(4)精加工：经切割、精磨、机加成为钼铌合金板靶材成品。本发明所得到的坯料呈现出比较细化晶粒，晶粒的大小趋于一致。CN1025638ACN102560383A权利要求书1/1页1.一种钼铌合金板靶材的加工工艺，其特征是按照如下步骤实施：(1)混合：将定量钼粉与铌粉各分为至少三小份，然后每小份钼粉与铌粉再分别混合成小份混合粉，每小份混合粉经过多次混合和过筛后，多个小份混合粉再合成为混合合金粉；然后再将混合合金粉至少分三组分别混料最后合成一起，再混料成为成分均匀的合金粉；(2)成型：经过等静压压成合金坯，进入高温中频炉在氢气保护下烧结，烧结温度分三个温区：0-800℃、800-1600℃、1600-2000℃并且每个温度区至少烧结3小时，最终烧成合金坯状；(3)锻造和轧制：再经过1200-1400℃高温锻造制密后进入高温炉1500-1600℃的加热温度进行轧制成备料规格的板材；(4)精加工：经切割、精磨、机加成为钼铌合金板靶材成品。2CN102560383A说明书1/3页钼铌合金板靶材加工工艺技术领域[0001]本发明属于金属材料加工技术领域，特别是有色金属合金材料的加工。背景技术[0002]钼铌合金板靶材(mo元素99％，nb元素10％)是FPD的关键材料。并大量使用于LCD源矩体液晶显示、场发射显示FED、有机电极发光显示(EL)、等离子体显示两极(PDP)、阴极射线发光显示(CRT)、真空荧光显示(VFD)、TFT柔性显示器、触摸屏等用钼铌合金。平板显示工艺用电子束蒸发将钼铌元素沉积在发射极尖端上对发展大屏幕高清晰度屏幕都有着不可估量的前程。[0003]目前FPD所用ITO最终烧成的靶材应该是单一的三氧化二铟相结构。所采用的工艺基本上是热等静压和热压，这是目前国际上生产ITO靶材的主流工艺。韩国只有三星康宁一家，其技术主要来源于日本，产品一部分用STN，但主要用于TFT液晶生产。对于日本生产的ITO靶材，生产工艺与现行的TFT比较接近，但其产品仍有缝隙(空洞)，其密度还没有达到IFI靶材标准。[0004]目前国内所采用的热等静压技术或热压技术还不能生产出用于STN的靶材，钼铌合金靶材面向STN、TFT、OLED阳极以及下步柔性显示装置也涉及进一步改善钼铌靶材的密度。[0005]目前大家比较关注铝基合金靶材，最受关注的就是钼铌合金靶材，当要显示的两条线之间的距离近至20微米左右时，铝在一定的电流流动下会产生更细的晶粒，这个品质很容易与隔壁的线搭桥造成短路。当我们提出高分辨TFT需把像素做的更小的时候，就在面临这个问题的基础上研发钼铌合金。国际上5代线显用到的还是铝基合金，全部从日本进口。日本的制作工艺是在铝基合金中掺入NB的成分，技术问题得以解决，并申请了专利。在铝的生产过程中，铝的晶粒大是最难控制的，若晶粒拉长的过大，相邻晶粒之间的晶粒取向不一样，导致靶材的溅射速度不均匀，从而导致线条不均匀。其他金属氧化物靶材透过导电膜材料主要由ITO钼锡、电极用的材料有铝钛镁，其中镁主要用于OLED，FPD用材主要是TTO，铝合金钼铬铜合金，柔性显示器有部分用到氧化锡、TTO和其他合金靶材，PDP用镁合金、铝合金和氧化锡，触摸屏主要以氧化锡为主，OLED主要是以镁合金，FPD用材存在以下的技术改进问题：[0006]①材料的结晶组织均匀与细化[000