一种高性能稀土永磁烧结磁体及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102586682A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102586682A(43)申请公布日2012.07.18(21)申请号201110008740.6(22)申请日2011.01.17(71)申请人三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司地址102200北京市昌平区创新路10号申请人北京中科三环高技术股份有限公司(72)发明人孙立柏赵玉刚胡伯平张瑾王浩颉(74)专利代理机构北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙)11377代理人陈立航杨静(51)Int.Cl.C22C38/16(2006.01)C22C33/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)H01F1/08(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书44页页(54)发明名称一种高性能稀土永磁烧结磁体及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种稀土烧结磁体及其制造方法，该磁体的磁性能剩磁Br为12.8～13.3kGs，内禀矫顽力Hcj≥30kOe，磁体的氧含量在500～900ppm。其制造过程是：熔炼工序为真空速凝工艺，生产的薄片合金的厚度为0.1～0.5mm。氢破碎工艺进行中粉碎工序生产。使用气流磨进行制微粉工序生产，微粉平均粒度为3.0～4.5μm。压型工序为在无氧惰性气体环境下进行压制成型。烧结工序为使用真空烧结炉进行烧结时效。CN102586ACN102586682A权利要求书1/1页1.一种高性能稀土永磁烧结磁体，其特征在于，所述的磁体组成成分为：Nd+Pr+Dy+Tb为29～30.5wt％，B为0.95wt％，Co为1wt％，Cu为0.1wt％，Ga为0.1wt％，Al为0.2wt％，Nb为0.1wt％，Fe为67.55～68.55wt％；同时所述磁体的剩磁Br为12.8～13.3kGs，内禀矫顽力Hcj≥30kOe。2.如权利要求1所述的稀土永磁烧结磁体，其特征在于，所述的磁体中稀土含量为：Nd为14.5～19.5wt％，Pr为6～9wt％，Dy为1.5～2.5wt％，Tb为3～4wt％。3.如据权利要求1和2所述的烧结稀土磁体，其特征在于，所述磁体中氧含量为500～900ppm；更优选地氧含量为600～700ppm。4.如权利要求1至3所述的高性能稀土永磁烧结磁体的生产方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：首先按比例进行配料；随后将配好的料放入真空感应速凝炉中进行熔炼，得到甩带合金薄片；将甩带合金薄片先在氢化炉中进行氢化中破碎，然后在气流磨中制成微粉；将微粉在无氧惰性气体环境下压型成型制成毛坯；将压制好的毛坯放入真空烧结炉进行烧结；烧结完成后进行二次时效，得到所述磁体。5.如权利要求4所述的烧结磁体的生产方法，其特征在于：所述的甩带合金薄片的厚度为0.1～0.5mm，优选厚度为0.2～0.4mm。6.如权利要求4所述的烧结磁体的生产方法，其特征在于：所述的用气流磨制成的微粉平均粒度为3.0～4.5μm，优选平均粒度为3.6～4.0μm。7.如权利要求4所述的烧结磁体的生产方法，其特征在于：所述的烧结温度为1030～1060℃，保温3～5小时。8.如权利要求4所述的烧结磁体的生产方法，其特征在于：所述的二次时效为：在烧结完成后将烧结炉快速冷却至100℃以下，然后在温度为900～930℃，保温时间2～3小时下进行一级时效；再次将烧结炉快速冷却至100℃以下后，在温度480～500℃，保温时间4～5小时下进行第二级时效。快速冷却至60℃以下出炉。2CN102586682A说明书1/4页一种高性能稀土永磁烧结磁体及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种高性能稀土永磁烧结磁体及其制造方法，尤其是剩磁为12.8～13.3kGs，同时内禀矫顽力不小于30kOe的双高稀土永磁烧结磁体和其生产方法。背景技术[0002]近年来，钕铁硼磁体在电子信息、IT、汽车和机械制造等行业中得到了越来越多的应用，也伴随着这些行业的发展获得了迅猛发展。相对应，应用磁性器件的电子信息、IT、汽车和机械制造业产品功能的增加和技术的提高对磁性材料性能提出了更高要求，磁性材料必须满足小型化、贴片化、高磁性能、低损耗的要求。[0003]这个要求的提出，意味着磁体在减小体积的同时要维持原有的特性要求，双高(高矫顽力，高剩磁)磁体成为了必然的选择。[0004]现有的稀土烧结磁体生产大多都是单高：高剩磁低矫顽力或高矫顽力低剩磁。由于稀土烧结磁体高剩磁的磁体成分和高矫顽力的磁体成分的相互制约，一般的方法在保证高剩磁的同时很难保证高矫顽力。[0005]目前生产双高磁体采取的方法，一种是采用双合金法(如专利CN1246864C)：通过混合两种不同成分的合金粉末并压制烧结来制备稀土磁体，合金A的粉末由R2Fe14B相组成，R主要为P