一种高性能低镓烧结永磁体及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763051A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211617649.9(22)申请日2022.12.15(71)申请人浙江英洛华磁业有限公司地址322118浙江省金华市东阳市横店电子工业园浙江英洛华磁业有限公司(72)发明人杨晓露付松王荣杰于光照何响俊(74)专利代理机构杭州斯可睿专利事务所有限公司33241专利代理师林君勇(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图2页(54)发明名称一种高性能低镓烧结永磁体及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种高性能低镓烧结永磁体的制备方法：所述方法为：将经过真空烧结、真空一级时效处理的烧结磁体毛坯切成磁体薄片，然后将磁体薄片送入连续隧道炉，进行低温二级时效处理，制备得到所述高性能低镓烧结永磁体，所述磁体的原料中，Ga的含量为0.01wt.％～0.1wt.％。本发明在烧结R‑T‑B磁体中添加低含量的Ga元素，可以改善主相晶粒表面缺陷，提高磁体的温度特性，在不怎么降低磁体Br的情况下提高磁体的Hcj。低镓含量降低了含Ga磁体的生产成本。同时，将一级时效后的磁体切割成一定厚度的薄片可以加速磁体的升温与降温，且随本发明所述连续隧道炉生产，可以减少产品二级时效时间，提高生产效率。CN115763051ACN115763051A权利要求书1/1页1.一种高性能低镓烧结永磁体的制备方法，其特征在于所述方法为：将经过真空烧结、真空一级时效处理的烧结磁体毛坯切成磁体薄片，然后将磁体薄片送入连续隧道炉，进行低温二级时效处理，制备得到所述高性能低镓烧结永磁体，所述磁体的原料中，Ga的含量为0.01wt.％～0.1wt.％。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述低温二级时效处理的温度为450‑600℃，保温时间为20min‑2h。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述低温二级时效处理过程中，连续隧道炉为空气、氮气或氩气气氛。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于所述低温二级时效处理过程中，连续隧道炉为氮气或氩气气氛。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述低温二级时效处理过程为：将磁体薄片放置在连续隧道炉的入料口处，随着传送带运输至二级时效室内，在二级时效室内进行磁体的低温二级热处理，结束后随着传送带从出料口离开二级时效室，然后冷却至温度低于60℃；所述二级时效室采用沉降式腔体，二级时效室的腔体的底面高度要低于入料口和出料口的高度。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于所述磁体在冷却室中冷却，冷却方式为在空气中自然冷却，或者用吹风冷却的方式加速冷却。7.如权利要求1～6之一所述的方法，其特征在于所述高性能低镓烧结永磁体包括以下质量分数的成分：Ga：0.01wt.％～0.1wt.％，R：28wt.％～32wt.％，R选自Pr、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho中的一种或多种，B：0.9wt.％～1.1wt.％，M：M为M1，或M1和M2的混合，其中M1为Al、Cu、Ti、Zr、Nb元素中的一种或两种，M2为Si、Zn、Sn、Ge、Ag、V、W、Mo元素中的至少一种；M1的含量为0.5wt.％～4.5wt.％，当M中合有M2时，M2的含量为0.1～2.0wt.％；余量为T及其他不可避免杂质，其中T为Fe和Co中的至少一种。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述磁体薄片的厚度为1～5mm。9.如权利要求1～8之一所述的方法制备得到的高性能低镓烧结永磁体，其特征在于所述高性能低镓烧结永磁体具有以下微观组织：距磁体表面0‑10μm范围内，稀土氧化物R‑O相占晶界富R相的比例小于20vol.％，且氧元素含量为500PPM～900PPM；距离磁体表面15μm深度以下，稀土氧化物R‑O相占晶界富R相的比例小于0.01vol.％，且氧元素含量≤400PPM。10.如权利要求4所述的方法制备得到的高性能低镓烧结永磁体，其特征在于所述高性能低镓烧结永磁体具有以下微观组织：距离磁体表面0‑10μm范围内，所述稀土氧化物R‑O相占晶界富R相的比例小于0.01vol.％，且氧元素含量≤600PPM。2CN115763051A说明书1/9页一种高性能低镓烧结永磁体及其制备方法技术领域[0001]本发明属于烧结永磁体制作领域，特别提供了一种高性能低镓烧结永磁体的制作方法和成分设计。背景技术[0002]烧结钕铁硼材料因为其具有高剩磁、高矫顽力和高磁能积的特点，被广泛应用于信息、医疗机械、交通运输等多个领域。但是随着应用场合的增多，对磁体的使用温度要求也越来越高，因此提高磁体使用温度也是烧结磁体的重要技术发展之一。而具有较高矫顽力的烧结永磁体的矫顽力温度系数低，且不可