内容提供者
多晶硅生产还原炉停炉控制系统及其方法.pdf
2023-06-20
10金币
845KB
13页
佳宁****么啦
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共13页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
多晶硅生产还原炉停炉控制系统及其方法.pdf
本发明涉及一种多晶硅生产还原炉停炉控制系统及控制方法。所述停炉控制系统包括：磁力计算模块，用于计算生长完成的硅棒受到的最大磁力；应力计算模块，用于计算生长完成的硅棒的最小释放应力；停炉优化模块，用于基于该硅棒受到的最大磁力和硅棒的最小释放应力利用优化算法计算出优化停炉时间和优化停炉温度；和控制模块，基于计算出的优化停炉时间和优化停炉温度控制还原炉的停炉。本发明的停炉控制系统及方法缩短了停炉过程降料和降温所需的时间，节约成本，并提高多晶硅生产的安全性和稳定性。
2023-06-20
10
845KB
多晶硅还原炉及其启炉方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉及其启炉方法，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本发明的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原
2023-06-16
10
380KB
一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统.pdf
本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫，冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体)，在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动，有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、
2023-06-17
10
246KB
多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途.pdf
本发明提供了一种多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途，涉及多晶硅生产技术装备领域，多晶硅还原炉的涂层的制备方法包括：利用第一冷气体动力喷涂在所述多晶硅还原炉与物料接触的表面喷涂第一颗粒形成基层；利用第二冷气体动力喷涂在所述基层远离所述多晶硅还原炉的表面喷涂第二颗粒形成面层，其中，所述第一冷气体动力喷涂的第一颗粒的速度和所述第二冷气体动力喷涂的第二颗粒的速度均为超音速，且所述第一颗粒的速度大于所述第二颗粒的速度；所述基层和所述面层适于反射红外辐射。形成基层的第一颗粒的喷涂速度较高，基层与多晶
2023-06-16
10
273KB
多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置，该硅芯击穿方法包括以下步骤：向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换，再通入380～400℃的氢气进行置换，通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热；打入电压进行硅芯击穿。在打入电压进行击穿时，此时多晶硅还原炉内的氢气仍为380～400℃，可维持硅芯为导体，不会导致硅芯电流、电压波动，实现硅芯击穿。该硅芯击穿方法可击穿200～300Ω·cm的电阻率的硅芯，提升还原一次转化率，由于击穿硅芯的电阻率大大提高，减少了现有技术为
2023-06-17
10
456KB