多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111334788A(43)申请公布日2020.06.26(21)申请号202010275300.6C01B33/03(2006.01)(22)申请日2020.04.09C01B33/035(2006.01)(71)申请人亚洲硅业(青海)股份有限公司地址810000青海省西宁市城东区经济技术开发区金硅路1号申请人青海省亚硅硅材料工程技术有限公司(72)发明人张宝顺王体虎宗冰(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人刘建荣(51)Int.Cl.C23C24/04(2006.01)B22F1/00(2006.01)C01B33/021(2006.01)权利要求书1页说明书8页(54)发明名称多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途(57)摘要本发明提供了一种多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途，涉及多晶硅生产技术装备领域，多晶硅还原炉的涂层的制备方法包括：利用第一冷气体动力喷涂在所述多晶硅还原炉与物料接触的表面喷涂第一颗粒形成基层；利用第二冷气体动力喷涂在所述基层远离所述多晶硅还原炉的表面喷涂第二颗粒形成面层，其中，所述第一冷气体动力喷涂的第一颗粒的速度和所述第二冷气体动力喷涂的第二颗粒的速度均为超音速，且所述第一颗粒的速度大于所述第二颗粒的速度；所述基层和所述面层适于反射红外辐射。形成基层的第一颗粒的喷涂速度较高，基层与多晶硅还原炉的表面结合强度较强，形成面层的第二颗粒的喷涂速度较低，利于降低涂层喷涂成本。CN111334788ACN111334788A权利要求书1/1页1.一种多晶硅还原炉的涂层的制备方法，其特征在于，包括：利用第一冷气体动力喷涂在所述多晶硅还原炉与物料接触的表面喷涂第一颗粒形成基层；利用第二冷气体动力喷涂在所述基层远离所述多晶硅还原炉的表面喷涂第二颗粒形成面层，其中，所述第一冷气体动力喷涂的第一颗粒的速度和所述第二冷气体动力喷涂的第二颗粒的速度均为超音速，且所述第一颗粒的速度大于所述第二颗粒的速度；所述基层和所述面层适于反射红外辐射。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一颗粒的速度比所述第二颗粒的速度大5-20％；优选地，所述第一颗粒的速度为525-1380m/s，所述第二颗粒的速度为500-1150m/s。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一冷气体动力喷涂的温度高于所述第二冷气体动力喷涂的温度，和/或，所述第一冷气体动力喷涂的压力高于所述第二冷气体动力喷涂的压力；优选地，所述第一冷气体动力喷涂的温度为550-750℃，压力为5-10MPa；优选地，所述第二冷气体动力喷涂的温度为500-700℃，压力为3.5-5MPa。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述基层的厚度为0.05-2mm，和/或，所述面层的厚度为0.05-19.95mm；优选地，所述涂层的厚度为0.1-20mm；优选地，所述基层和所述面层各自独立地包括金、银和铜中的至少一种。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一颗粒包括50-80V％的带菱角粉末和20-50V％的球形粉末；优选地，在所述第一颗粒中，带菱角粉末的粒径为5-10微米，球形粉末的粒径为10-20微米。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二颗粒包括5-10V％的带菱角粉末和90-95V％的球形粉末；优选地，在所述第二颗粒中，带菱角粉末的粒径为5-15微米，球形粉末的粒径为5-45微米；优选地，所述第二颗粒的平均粒径大于所述第一颗粒的平均粒径；优选地，所述第一颗粒中的球形粉末和/或所述第二颗粒中的球形粉末由气雾法制备得到。7.根据权利要求1-3、5和6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅还原炉与物料接触的表面包括：钟罩、底盘及电极中的至少一个与物料接触的表面。8.一种多晶硅还原炉的涂层，其特征在于，是利用权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的。9.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括权利要求8所述的涂层。10.一种权利要求9所述的多晶硅还原炉在生产多晶硅中的用途。2CN111334788A说明书1/8页多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术装备领域，尤其是涉及一种多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途。背景技术[0002]多晶硅还原炉主要材质为不锈钢，为了避免多晶硅还原炉运行过程中因内壁温度过高而使不锈钢材料蠕变失效的问题，通常在外壁和内壁间的夹套内通入低温水进行冷却，使内壁温度保持在300℃以下。在多晶硅还原炉运行过程中，硅棒表面发射出大量红外电磁波，到达内壁表面的绝大部分红