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多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置.pdf
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多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置，该硅芯击穿方法包括以下步骤：向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换，再通入380～400℃的氢气进行置换，通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热；打入电压进行硅芯击穿。在打入电压进行击穿时，此时多晶硅还原炉内的氢气仍为380～400℃，可维持硅芯为导体，不会导致硅芯电流、电压波动，实现硅芯击穿。该硅芯击穿方法可击穿200～300Ω·cm的电阻率的硅芯，提升还原一次转化率，由于击穿硅芯的电阻率大大提高，减少了现有技术为
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