一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102683486A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102683486A(43)申请公布日2012.09.19(21)申请号201210127523.3(22)申请日2012.04.27(71)申请人山东力诺太阳能电力股份有限公司地址250103山东省济南市济南市经十东路30766号力诺科技园(72)发明人贾河顺罗磊任现坤程亮姜言森刘鹏李玉花徐振华王兆光张春艳张丽丽张黎明(74)专利代理机构济南舜源专利事务所有限公司37205代理人宋玉霞(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)C30B31/02(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书22页页(54)发明名称一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法(57)摘要本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法，具体涉及一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：1.晶硅表面制绒；2.非受光面印刷硼浆；3.烘干；4.非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；5.扩散炉内通入硼源进行硼扩散；6.去除表面硼硅玻璃层。本方法与现在传统扩散方法相比，在完成电池受光面扩散的同时，进行非受光面的吸杂，可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。CN1026834ACN102683486A权利要求书1/1页1.一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：步骤一，晶硅表面制绒；步骤二，非受光面印刷硼浆；步骤三，烘干；步骤四，非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；步骤五，扩散炉内通入硼源进行硼扩散；步骤六，去除表面硼硅玻璃层。2.根据权利要求1所述的一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，其特征在于，步骤二中非受光面印刷硼浆的方法为以下方法的任意一种：丝网印刷法，旋涂法，喷涂法。3.根据权利要求1所述的一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，其特征在于，步骤三烘干温度为20-500℃，时间2-20分钟。4.根据权利要求1所述的一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，其特征在于，步骤四中晶硅非受光面之间的距离0.1-200μm，组与组之间的距离0.5-100mm。2CN102683486A说明书1/2页一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法技术领域[0001]本发明涉及晶硅太阳电池制作技术领域，具体涉及一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法。背景技术[0002]传统晶硅太阳电池的PN结是同质结，开路电压一般比较小，可以通过钝化的方法提高该数值。钝化的方法包括在晶硅的表面沉积薄膜，如SiNx，SiO2，Al2O3；网印铝背场钝化；也可以通过掺杂硼进行吸杂。目前一般厂家都使用薄膜钝化和铝背场钝化。[0003]为了提高产量，达到降低成本的目的，传统的硼扩散工艺一般晶硅背靠背，两两一对，在扩散炉内只对太阳电池的受光面进行硼掺杂。如果采用现有传统工艺和石英舟进行双面扩散，扩散炉的数量将会增加一倍才能保持原有产量，这样会大大的增加成本；如果改变石英舟结构，保持受光面之间的距离不变，增加非受光面之间的距离，不但会影响扩散的均匀性、增加劳动量，而且容易造成受光面和非受光面的混乱，影响太阳电池的产品良率。发明内容[0004]本发明的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，该方法可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。[0005]本发明的一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法技术方案为：包括以下步骤：步骤一，晶硅表面制绒；步骤二，非受光面印刷硼浆；步骤三，烘干；步骤四，非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；步骤五，扩散炉内通入硼源进行硼扩散；步骤六，去除表面硼硅玻璃层。[0006]步骤二中非受光面印刷硼浆的方法为以下方法的任意一种：丝网印刷法，旋涂法，喷涂法。[0007]步骤三中烘干使硼浆吸附与晶硅电池的非受光面，烘干温度为20-500℃，时间2-20分钟。[0008]步骤四中晶硅非受光面之间的距离0.1-200μm，组与组之间的距离0.5-100mm。[0009]本发明的有益效果为：本发明一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括晶硅表面制绒；非受光面印刷硼浆；烘干；非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；扩散炉内通入硼源进行硼扩散；去除表面硼硅玻璃层。烘干使硼浆吸附于晶硅电池的非受光面，由于非受光面对掺杂的均匀性要求不严格，硼浆中的硼原子最终在扩散炉的高温推进下，进入晶硅体内，达到系杂的目的。这样可以改善传统工艺中晶硅背对背不能有硼原子大量进入非受光面的缺陷。[0010]该方法可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。运用该方法3CN102683486A说明书2/2页制作的太阳电池，开路电压提高10mV以上，效率提高0.2-0.4%，拥有广阔的应用前景。[0011]具体实施方式：为了更好地理解本发明，下面