一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法.pdf
Th****84
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一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法,具体涉及一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法,包括以下步骤:1.晶硅表面制绒;2.非受光面印刷磷浆;3.烘干;4.非受光面面对面紧贴,两两一组,放入扩散炉;5.扩散炉内通入磷源进行磷扩散;6.去除表面磷硅玻璃层。本在完成电池受光面扩散的同时,进行非受光面的磷吸杂,可以明显的提高太阳电池的开路电压,达到提高效率的目的。
一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法,具体涉及一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法,包括以下步骤:1.晶硅表面制绒;2.非受光面印刷硼浆;3.烘干;4.非受光面面对面紧贴,两两一组,放入扩散炉;5.扩散炉内通入硼源进行硼扩散;6.去除表面硼硅玻璃层。本方法与现在传统扩散方法相比,在完成电池受光面扩散的同时,进行非受光面的吸杂,可以明显的提高太阳电池的开路电压,达到提高效率的目的。
一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法.pdf
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其是一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法;所述制备方法包括以下步骤:以P型单晶硅片作为硅衬底,首先进行抛光(或者制绒处理),硅片采用PECVD设备,在背面生长隧穿氧化硅薄膜和掺杂的p型非晶硅薄膜,采用PECVD设备,在背面沉积硼硅玻璃BSG薄膜,在KOH溶液中进行制绒处理,在电池正面形成金字塔结构,扩散炉,钝化层生长;丝网印刷、烧结,本发明中通过将非晶硅的高温晶化过程与标准磷扩散工艺在扩散管中一步完成,优化了工艺流程,减少了工艺步骤,从而极大的提高了产能,降低了污染的风
n型晶体硅双面太阳电池.pdf
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P型晶体硅双面电池结构及其制作方法.pdf
本发明提供了一种P型晶体硅双面电池结构及其制作方法,电池结构由正面至背面依次包括:正面减反射膜、正面钝化膜、N型掺杂层、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜、第二背面钝化膜;电池正面排布正面负极细栅线收集电子,并通过穿透电池片的过孔电极导入电池背面的背面负极主栅线;电池背面的背面正极细栅线和背面正极主栅线分布于过孔电极以外的区域,且背面正极主栅线与背面正极细栅线相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线。