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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102714147A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102714147A(43)申请公布日2012.10.03(21)申请号201180005087.6代理人张鑫(22)申请日2011.06.20(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L21/205(2006.01)2010-1421292010.06.23JPC23C16/455(2006.01)2011-0139692011.01.26JP(85)PCT申请进入国家阶段日2012.06.25(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2011/0640842011.06.20(87)PCT申请的公布数据WO2011/162219JA2011.12.29(71)申请人夏普株式会社地址日本大阪府(72)发明人若狭加奈子坂上英和坪井俊树(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书1111页页附图附图88页(54)发明名称气相沉积装置(57)摘要本发明的气相沉积装置(1A)具有:配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板(31)的反应炉(20);具有导入气体的气体导入口(14)、用于使气体扩散的气体分配空间(13)、穿设有用于将气体分配空间(13)的气体供给至反应炉(20)的内部的多个气体流路(15)的喷板(11)的喷头(10);用于将反应炉(20)的气体向外部排气的排气口(26)。喷头(10)的气体分配空间(13)是以喷板(11)为底面的空间,且具有远离反应炉(20)的排气口(26)一侧的第一空间(131)、和靠近反应炉(20)的排气口(26)一侧的第二空间(132)。第一空间(131)形成得比第二空间(132)高。CN10274ACN102714147A权利要求书1/1页1.一种气相沉积装置,具有:反应炉,配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板;喷头,具有导入气体的气体导入口、用于使所述气体扩散的气体分配空间、穿设有用于将所述气体分配空间的气体供给至所述反应炉的内部的多个气体流路的喷板;以及排气口,用于将所述反应炉的气体向外部排气,其特征在于,所述喷头的气体分配空间是以所述喷板为底面空间,且具有远离所述反应炉的排气口一侧的第一空间、和靠近所述反应炉的排气口一侧的第二空间,并且所述第一空间形成得比所述第二空间高。2.如权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,在所述喷头设有将所述气体分配空间隔开为上游侧空间与下游侧空间的2个空间的扩散板,并且在所述扩散板穿设有从所述上游侧空间向下游侧空间通过气体的多个扩散孔。3.如权利要求1或者2所述的气相沉积装置,其特征在于,在所述喷头设有调节所述第二空间的高度的第二空间高度调节部件。4.如权利要求1或者2所述的气相沉积装置,其特征在于,在所述喷头设有调节所述第一空间的高度的第一空间高度调节部件。2CN102714147A说明书1/11页气相沉积装置技术领域[0001]本发明例如涉及垂直喷头型MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,金属有机物化学气相沉积)等气相沉积装置。背景技术[0002]以往,在制造发光二极管及半导体激光器时,使用MOCVD法及MOCVD装置(气相沉积装置),将三甲基镓(TMG)或者三甲基铝(TMA)等有机金属气体、氨(NH3)、膦(PH3)或者砷化氢(AsH3)等氢化合物气体作为有助于成膜的原料气体,供给至反应室内,使化合物半导体结晶进行沉积。[0003]在MOCVD法中,通过将有机金属气体及氢化合物气体的原料气体与氢或氮等惰性气体一起供给至反应室内并加热,在预定的被处理基板上进行气相反应,从而在该被处理基板上使化合物半导体结晶沉积。在使用该MOCVD法的化合物半导体结晶的制造中,要求如何提高沉积的化合物半导体结晶的品质,同时抑制成本,最大限确保成品率和生产能力。[0004]此处,MOCVD法所使用的以往的一般的垂直喷头型MOCVD装置(此后称为气相沉积装置)的结构如图15所示。如图15所示,气相沉积装置200包括喷头210,为了将从气体导入口214导入的原料气体供给至反应炉220的内部的反应室221,该喷头210因此形成为近似圆筒形。[0005]喷头210由用于导入原料气体的气体导入口214、用于使从气体导入口214导入的原料气体均一且大范围扩散的气体分配空间213、以预定的间隔穿设有多个气体流路215的喷板211构成,其中,多个气体流路215用于将在气体分配空间213扩散的原料气体供给至反应室221。另外,在喷头210,通过气体流路215的周围而形成用于流过对各气体流路215的温度进行调整的冷却剂的冷却剂流路218。[0006]在反应室221的下部中央,设有利用未图示的致动器