

化学气相沉积法涂层装置.pdf
元容****少女
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化学气相沉积法涂层装置.pdf
本发明创造涉及化学气相沉积法涂层装置。采用的技术方案是:包括反应炉,反应炉内设有支撑筒,支撑筒上端设有排气帽,反应炉和支撑筒之间为尾气通道,支撑筒内从上到下依次为沉积区、气体分配区和预热区;沉积区内:设有若干托盘),托盘上设有若干通气孔Ⅰ;气体分配区内:支架Ⅰ固定挡板,挡板上端安装至少三层隔板,支架Ⅱ固定隔板,隔板上设有若干通气孔Ⅱ;预热区内:安装若干层预热板,进气管的出口端与气体分配区相通,支撑筒在预热区部位的下端设有尾气入口,预热区的下端设有尾气出口。还设有加热炉,反应炉置于加热炉内。采用本发明创造的
化学气相沉积法涂层系统及工艺.pdf
本发明涉及化学气相沉积法涂层系统及工艺。采用的技术方案是:涂层工艺如下:将基体置于托盘内,然后将托盘码于支撑筒内的沉积区;控制系统控制不同的反应气体分别经气体入口引入气体混合室;混合后的反应气体经进气管进入反应炉内,经预热区预热,挡板和隔板的分散,进入沉积区;控制系统控制加热炉升温,控制沉积区反应温度为900~2000℃,于常压下对基体涂层;产生的尾气经排气帽、尾气入口Ⅰ,预热板和尾气出口Ⅰ进入点火装置,中和液经喷淋装置喷淋,吸收中和尾气,净化后的尾气经尾气出口Ⅱ排出,吸收液经吸收液出口收集,集中处理。采
化学气相沉积装置.pdf
一种化学气相沉积装置,具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管,所述排气配管具有至少1个弯曲部,在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。
化学气相沉积法.pptx
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯化学气相沉积(CVD)CVD反应体系应满足的条件:1CVD技术在无机合成时的特点01CVD装置渗碳析碳机制:对于镍等具有较高溶碳量的金属基体,碳源裂解产生的碳原子在高温时渗入金属基体内,在降温时再从其内部析出成核,最终生长成石墨烯。CVD法制备石墨烯碳源CVD法制备石墨烯生长基体CVD法制备石墨烯生长条件
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