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一种生长外延片及其制备方法.pdf
2023-06-19
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本发明提供了一种生长外延片的制备方法，包括步骤：在100nm的N型铝镓氮生长时，获取第一温度，所述第一温度为N型铝镓氮的生长温度；计算温差，将有源层生长温度调整为第二温度，所述第二温度为正常生长的炉次标准温度设定的原有源层生长温度与温差的和；升高温度至710℃-820℃，生长掺铟的氮化镓阱层，升高温度至850℃-1000℃生长掺杂氮化镓垒层，形成有源层。本发明监控N型铝镓氮生长时的基底表面温度，分析出调整波长的幅度，调整有源层的温度，从而达到控制波长的目的，提高芯片波长的良率。
2023-06-19
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本发明所提供的一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片，包括：用于放置衬底的生长炉本体，所述生长炉本体的上端面呈向下凹陷的球面状，所述球面状的上端面设置有预设标记位；当衬底放置于预设标记位上，且生长炉本体进行旋转时，衬底各处所受的离心力的差值在预设范围内。本发明通过将生长炉本体设置为向下凹陷的球面状，使得衬底能够放置于各处所受离心力相等或相近的位置，进而使得衬底上各处具有较为相同的生长应力，最后得到厚度较为均匀的外延片。
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