一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110331381A(43)申请公布日2019.10.15(21)申请号201910501274.1H01L33/00(2010.01)(22)申请日2019.06.11(71)申请人康佳集团股份有限公司地址518053广东省深圳市南山区粤海街道科技园科技南十二路28号康佳研发大厦15-24层(72)发明人林伟瀚梁邦兵杨梅慧杨鑫(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268代理人王永文刘文求(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)C23C16/34(2006.01)H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片(57)摘要本发明所提供的一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片，包括：用于放置衬底的生长炉本体，所述生长炉本体的上端面呈向下凹陷的球面状，所述球面状的上端面设置有预设标记位；当衬底放置于预设标记位上，且生长炉本体进行旋转时，衬底各处所受的离心力的差值在预设范围内。本发明通过将生长炉本体设置为向下凹陷的球面状，使得衬底能够放置于各处所受离心力相等或相近的位置，进而使得衬底上各处具有较为相同的生长应力，最后得到厚度较为均匀的外延片。CN110331381ACN110331381A权利要求书1/1页1.一种外延片生长炉，其特征在于，包括：用于放置衬底的生长炉本体，所述生长炉本体的上端面呈向下凹陷的球面状，所述球面状的上端面设置有预设标记位；当衬底放置于预设标记位上，且生长炉本体进行旋转时，衬底各处所受的离心力的差值在预设范围内。2.根据权利要求1所述的外延片生长炉，其特征在于，所述生长炉本体上端面的预设标记位上对应开设有凹槽，所述凹槽用于盛放衬底。3.根据权利要求2所述的外延片生长炉，其特征在于，所述凹槽的底部与该凹槽中心对应的球面上的点和球面形成的切面相平行。4.根据权利要求1所述的外延片生长炉，其特征在于，所述生长炉本体的中心设置有轴孔。5.根据权利要求4所述的外延片生长炉，其特征在于，所述生长炉本体以所述轴孔与生长炉本体上端面所在的球心连成的直线做为轴线进行旋转。6.根据权利要求1所述的外延片生长炉，其特征在于，所述生长炉本体上端面边缘处还连接有柱状侧壁。7.根据权利要求1所述的外延片生长炉，其特征在于，所述生长炉本体上端面边缘处还连接有多面体状侧壁。8.一种设备，其特征在于，所述设备包括如权利要求1至7所述的外延片生长炉。9.一种MOCVD方法，其特征在于，所述MOCVD方法使用如权利要求1至7所述的外延片生长炉。10.一种外延片，其特征在于，所述外延片由权利要求9所述的MOCVD方法制成。2CN110331381A说明书1/4页一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片技术领域[0001]本发明涉及MOCVD技术领域，尤其涉及的是一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片。背景技术[0002]MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，是通过缩小LED芯片的尺寸到几十微米，制备出Micro-LED，并可以在毫米量级的范围内制备成百上千个Micro-LED，形成Micro-LED阵列。由于微米级别尺寸，从而MicroLED具有一些特殊的光电特性：良好的热扩散效应、可支撑极高的电流密度、高输出光功率密度、高光电调制带宽、较高的量子效率和较好的可靠性。MicroLED的核心技术是纳米级LED的转运，而不是制作LED这个技术本身，包括巨量芯片光色等参数一致均匀性、微米级别器件贴片的高速率和严格精度、质量检测等巨量工程。[0003]由于晶格匹配的原因，LED微器件必须先在蓝宝石类的基板上通过分子束外延生长出来。而做成显示器，必须要把LED发光微器件转移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的蓝宝石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸，而制作显示器则是尺寸大得多的玻璃基板，因此必然需要进行多次转运。这对于Micro-LED的精度和亮度、颜色均匀性要求很高。[0004]LED的外延片是将衬底装载在生长炉中，在MOCVD设备腔室内高速旋转，以TMGa等三甲基镓源和氮气分别作为Ga源和N源，以超纯氢气作为载气，在衬底上外援生长出三元或四元GaN类半导体层。如图1所示，现有的生长炉101为平面圆形，衬底102以生长炉圆心和弧边为基准，为了腔室内各衬底外延层均匀，各衬底在外延层生长过程中会一直旋转，但同时因为一直旋转，离心力的作用使单片外延层上厚度会产生不均，外延层厚度不均会导致波长、亮度、色坐标的不均匀。[0005]因此，现有技术存在缺陷，有待改进与发展。发明内容[0006]本发明要解决