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本发明提供一种LED外延片、芯片及其制备方法,包括p型限制层、过渡层以及GaP窗口层;过渡层包括依次生长的第一过渡子层、第二过渡子层以及第三过渡子层,第一过渡子层生长于p型限制层上,GaP窗口层生长于第三过渡子层上;其中,第一过渡子层为(AlxGa1?x)0.5In0.5P层,其中,x从1向0渐变,第二过渡子层为GayIn1?yP层,其中,y从0.5向1渐变,第三过渡子层为GaP层。本发明中的LED外延片、芯片及其制备方法,通过将生长三种组分依次渐变的第一过渡子层、第二过渡子层和第三过渡子层,提高晶体生长质量。