一种外延片的制备装置及其制备方法.pdf
一吃****成益
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一种外延片的制备装置及其制备方法.pdf
本发明公开了一种外延片的制备装置及其制备方法,涉及外延片制备技术技术领域,包括:加工台;承载槽,其布设于所述加工台上,以用于承载外延片;滑槽,其设置于承载槽中心端;推板,其滑动布设于滑槽中;驱动机构,其与推板连接,用于驱动推板升降,以通过推板将外延片推出预设高度;还包括:取料组件,其布设在加工台上,用于将外延片置于承载槽中以进行镀膜处理;取料组件包括:第一气缸;吸附机构,其于第一气缸伸缩端连接;放料组件,其布设在加工台上,用于将镀膜完成后的外延片从承载槽中移出;相较于现有的吸附式放料组件,不会对外延片的镀
一种生长外延片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种生长外延片的制备方法,包括步骤:在100nm的N型铝镓氮生长时,获取第一温度,所述第一温度为N型铝镓氮的生长温度;计算温差,将有源层生长温度调整为第二温度,所述第二温度为正常生长的炉次标准温度设定的原有源层生长温度与温差的和;升高温度至710℃-820℃,生长掺铟的氮化镓阱层,升高温度至850℃-1000℃生长掺杂氮化镓垒层,形成有源层。本发明监控N型铝镓氮生长时的基底表面温度,分析出调整波长的幅度,调整有源层的温度,从而达到控制波长的目的,提高芯片波长的良率。
一种紫外LED外延片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种紫外LED外延片,包括玻璃衬底,依次生长在玻璃衬底上的金属层、多晶AlN层、单晶AlN层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、p型掺杂AlGaN层和p型掺杂GaN层。本发明还公开了一种紫外LED外延片制备方法,根据各层特性,将电镀法、磁控溅射法、物理气相沉积法和分子束外延生长技术结合。本发明能生长出缺陷少、质量高的GaN材料,衬底易去除,导热、导电性好,发光性能高;本发明生产工艺简单,成本低,具有可重复性,可实现大规模的生产应用。
一种LED外延片、芯片及其制备方法.pdf
本发明提供一种LED外延片、芯片及其制备方法,包括p型限制层、过渡层以及GaP窗口层;过渡层包括依次生长的第一过渡子层、第二过渡子层以及第三过渡子层,第一过渡子层生长于p型限制层上,GaP窗口层生长于第三过渡子层上;其中,第一过渡子层为(Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>)<base:Sub>0.5</base:Sub>In<base:Sub>0.5</base:Sub>P层,其中,x从1向0渐变,第二过渡子层为Ga<base:Sub>y<
外延片制备方法.pdf
本发明提供一种外延片制备方法,包括步骤:S1:提供衬底,对衬底进行双面抛光后再清洗;S2:对衬底进行边缘抛光后再清洗;S3:对衬底进行最终抛光后再清洗;S4:于最终抛光清洗后得到的衬底表面进行外延生长;S5:对外延生长后的衬底依次进行抛光和清洗。本发明对现有的外延片制备流程重新进行了优化设计,不仅在外延生长前进行多次抛光以确保外延生长具有良好的生长条件,且在外延生长后再次进行抛光清洗,以确保生长出的外延层具有平坦表面,可以有效改善外延层表面SFQR较差的问题,有利于提高后续的器件生产良率。采用本发明,不必