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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103374757A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103374757103374757A(43)申请公布日2013.10.30(21)申请号201310310760.8(22)申请日2013.07.23(71)申请人英利能源(中国)有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人范志东马继奎汤欢(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人陆林生(51)Int.Cl.C30B31/16(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称一种改进型扩散炉尾气排放装置(57)摘要本发明公开了一种改进型扩散炉尾气排放装置,包括第一气体缓冲瓶、排风设备以及压力监测设备和氮气补偿设备,压力监测设备与氮气补偿设备之间单向连接,第一气体缓冲瓶的一端经由依次顺序连接的第二气体缓冲瓶,…,第N气体缓冲瓶之后与排风设备相连接;压力监测设备设于氮气补偿设备所在的气体缓冲瓶之后的任一气体缓冲瓶上或气体缓冲瓶之间的连接管上。本发明在原有设备的基础上,增加了气体缓冲瓶的数量,调整了压力监测装置的位置,使得气体补偿不再滞后,可直接降低排风设备的波动对石英管内气流的影响,有利于维持石英管内气流稳定性,达到保障扩散石英管内气流的恒压的目的,增加工艺的稳定性,保证了方块电阻的均匀性和PN结的质量。CN103374757ACN103745ACN103374757A权利要求书1/1页1.一种改进型扩散炉尾气排放装置,包括第一气体缓冲瓶、排风设备以及压力监测设备和氮气补偿设备,所述压力监测设备与氮气补偿设备之间单向连接,所述第一气体缓冲瓶的一端与扩散炉石英管相连接,其特征在于第一气体缓冲瓶的另一端经由依次顺序连接的第二气体缓冲瓶,…,第N气体缓冲瓶之后与排风设备相连接,其中N>2,各气体缓冲瓶之间、气体缓冲瓶与排风设备之间均通过连接管相连接;所述氮气补偿设备设于任一气体缓冲瓶上,所述压力监测设备设于氮气补偿设备所在的气体缓冲瓶之后的任一气体缓冲瓶上或气体缓冲瓶之间的连接管上。2.根据权利要求1所述的一种改进型扩散炉尾气排放装置,其特征在于所述第一气体缓冲瓶经由第二气体缓冲瓶后与排风设备相连接,所述氮气补偿设备设于第一气体缓冲瓶上,所述压力监测设备设于第一气体缓冲瓶与第二气体缓冲瓶之间的连接管上。3.根据权利要求1所述的一种改进型扩散炉尾气排放装置,其特征在于所述第一气体缓冲瓶经由第二气体缓冲瓶后与排风设备相连接,所述氮气补偿设备设于第一气体缓冲瓶上,所述压力监测设备设于第二气体缓冲瓶上。4.根据权利要求1所述的一种改进型扩散炉尾气排放装置,其特征在于所述第一气体缓冲瓶经由顺序连接的第二气体缓冲瓶和第三气体缓冲瓶后与排风设备相连接。5.根据权利要求4所述的一种改进型扩散炉尾气排放装置,其特征在于所述氮气补偿装置设于第一气体缓冲瓶上,所述压力监测设备设于第一气体缓冲瓶与第二气体缓冲瓶之间的连接管上或设于第二气体缓冲瓶上。6.根据权利要求4所述的一种改进型扩散炉尾气排放装置,其特征在于所述氮气补偿装置设于第二气体缓冲瓶上,所述压力监测设备设于第二气体缓冲瓶与第三气体缓冲瓶之间的连接管上或设于第三气体缓冲瓶上。2CN103374757A说明书1/3页一种改进型扩散炉尾气排放装置技术领域[0001]本发明涉及半导体器件制备技术领域。背景技术[0002]太阳能晶硅电池生产的主要流程包括:制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结。其中,扩散是PN结制备的主要工序,而PN结又是太阳能电池的核心结构,且PN结的质量好坏对太阳晶硅电池的转换效率有着重要的影响。方块电阻的均匀性是衡量PN结质量好坏的一个表征,而方块电阻的均匀性与石英炉管内气流的恒定与否有着很大的关系,因此如何减小设备外围气体的波动对石英炉管内气流的影响是十分必要的。[0003]目前扩散炉废气排放装置的结构如图1所示,其主要包括气体缓冲瓶和排风设备,气体缓冲瓶的一端与扩散炉的石英管相连接,其另一端与排风设备相连接,在石英管上设有压力监测设备,在气体缓冲瓶上设有氮气补偿设备,压力监测设备与氮气补偿设备之间单向连接。废气排放装置的工作过程为:石英管中产生的废气通过排风设备被抽出,废气首先经过气体缓冲瓶再由排风设备排出。如果生产过程中排风设备中的气体产生波动,就会导致石英管内的气体发生变化,进而使得石英管的气体压力发生变化;压力监测装置监测到此变化信息之后,就会通知氮气补偿设备使其对气体缓冲瓶进行“氮气补偿”,以调整排风设备中的气压,进而使得石英管内的气压稳定为某一恒定值。[0004]通过上述可知,现有装置是排风设备发生气体波动再传导至石英管后压力测试监测到才会