一种真空速凝晶化炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103418762A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103418762103418762A(43)申请公布日2013.12.04(21)申请号201310301937.8(22)申请日2013.07.18(71)申请人洛阳八佳电气科技股份有限公司地址471000河南省洛阳市高新开发区凌波路南段(72)发明人曹俊英袁宇杰刘锦成刘小欣(74)专利代理机构洛阳市凯旋专利事务所41112代理人陆君(51)Int.Cl.B22D11/06(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书2页说明书2页附图1页附图1页(54)发明名称一种真空速凝晶化炉(57)摘要一种真空速凝晶化炉，涉及一种晶化炉，由箱体（1）、坩埚（4）、中间包（2）、水冷轴（3）、滚筒（8）和收料罐（6）组成，通过在箱体（1）外设置真空机组和冷却风机，在箱体（1）内安装中间包（2）、水冷轴（3）、坩埚（4）和滚筒（8），箱体（1）底部的地下室（10）内设置收料罐（6），以此来达到甩片在真空速凝晶化炉内直接晶化热处理的目的；本发明实用性强，安装和维护均比较方便，操作起来比较方便，有效解决了现有甩片容易被氧化的问题，提高了产品的性能和工作效率。CN103418762ACN10348762ACN103418762A权利要求书1/1页1.一种真空速凝晶化炉，包括箱体（1）、坩埚（4）、中间包（2）、水冷轴（3）、滚筒（8）和收料罐（6），在平台（9）的上方设有箱体（1），平台（9）的下方设有地下室（10），箱体（1）外设有真空机组和冷却风机，真空机组和冷却风机分别通过管道与箱体（1）相连接，其特征是：在箱体（1）内设置有中间包（2）、水冷轴（3）、坩埚（4）和滚筒（8），滚筒（8）内设有叶片（13），滚筒（8）的一端通过滚筒轴（11）与箱体（1）外部的电机（12）相连接，滚筒（8）的另一端与水冷轴（3）的一侧相连接，水冷轴（3）的另一侧与坩埚（4）通过中间包（2）相连接；在滚筒（8）的下部设有接料管（5），接料管（5）穿过平台（9）与地下室（10）内的收料罐（6）相连接。2.根据权利要求1所述的一种真空速凝晶化炉，其特征是：所述箱体（1）为圆型或多边型结构。3.根据权利要求1所述的一种真空速凝晶化炉，其特征是：所述叶片（13）为螺旋状结构，叶片（13）环绕在滚筒（8）的内壁上。4.根据权利要求1所述的一种真空速凝晶化炉，其特征是：所述坩埚（4）一侧设有液压翻动装置。5.根据权利要求1所述的一种真空速凝晶化炉，其特征是：所述滚筒（8）上设有加热保温装置。6.根据权利要求1所述的一种真空速凝晶化炉，其特征是：所述接料管（5）的下端设有第一接料阀。7.根据权利要求1所述的一种真空速凝晶化炉，其特征是：所述接料管（5）的下端设有第一接料阀。2CN103418762A说明书1/2页一种真空速凝晶化炉[0001]【技术领域】本发明涉及一种晶化炉，尤其是涉及一种真空速凝晶化炉。[0002]【背景技术】已知的，目前在钕铁硼行业，真空速凝炉在近几年来获得了广泛应用，但是现有的真空速凝炉是将1450℃钢液经过水冷辊快速冷却成900℃以下的薄片后直接落到一个水冷盘里，这样的薄片并没有完全晶化，薄片在600℃到900℃时晶体还在继续生长，这个晶体生产过程还需要半个小时左右，这个过程叫做温度均匀化过程，也叫晶体过程，而现有的真空速凝炉甩出的薄片直播落在水冷盘里，薄片温度很快降了下来，破坏了晶体继续生长的条件，因此这样的薄片不具备晶化过程；另外把真空速凝炉甩出的薄片装入到真空退火炉里进行均匀化，晶体倒是生产好了，但是薄片严重被氧化了，做出来的产品更加不好了，这是因为薄片厚度很小，表面积很大，很容易吸附空气，很容易被氧化，由于不能在完全不见空气的情况下工作，所以直接从真空速凝炉内把薄片转移到真空退火炉里面进行温度均匀化热处理，不能避免薄片被氧化，因此由于氧化的原因而不能采用对钕铁硼晶体进行温度均匀化处理的工艺，从而降低了产品的性能。[0003]【发明内容】为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种真空速凝晶化炉，本发明通过在箱体外设置真空机组和冷却风机，在箱体内安装中间包、水冷轴、坩埚和滚筒，箱体底部的地下室内设置收料罐，以此来达到甩片在真空速凝晶化炉内直接晶化热处理的目的。[0004]为了实现所述发明目的，本发明采用如下技术方案：一种真空速凝晶化炉，包括箱体、坩埚、中间包、水冷轴、滚筒和收料罐，在平台的上方设有箱体，平台的下方设有地下室，箱体外设有真空机组和冷却风机，真空机组和冷却风机分别通过管道与箱体相连接，在箱体内设置有中间包、水冷轴、坩埚和滚筒，滚筒内设有叶片，滚筒的一端通过滚筒轴与箱体外部的电机相连接，滚筒的另一端与水