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本发明涉及材料制备技术领域,具体涉及一种生长单层石墨烯的工艺方法,其包括以下步骤:步骤1,将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中,在工作电极和对电极之间施加电压V0,对铜箔进行处理,持续时间t0;步骤2,将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗,并用氮气吹干铜箔;步骤3,将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间,采用化学气相沉积法,在铜箔两侧生长单层石墨烯;本发明的工艺方法,其制备的单层石墨烯纯净度高。