生长单层石墨烯的工艺方法.pdf
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生长单层石墨烯的工艺方法.pdf
本发明涉及材料制备技术领域,具体涉及一种生长单层石墨烯的工艺方法,其包括以下步骤:步骤1,将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中,在工作电极和对电极之间施加电压V<base:Sub>0</base:Sub>,对铜箔进行处理,持续时间t<base:Sub>0</base:Sub>;步骤2,将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗,并用氮气吹干铜箔;步骤3,将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间,采用化学气相沉积法,在铜箔两侧生长单层石墨烯;本发明的工艺方法,其制备的单层石墨烯纯净度高。
单层石墨烯的制备方法.pdf
本发明公开了一种单层石墨烯的制备方法,将10—30份的石墨置于50°C—70°C的高温室内,并利用碾压机上压力为800N—1200N的碾压轮,反复碾压石墨15min—30min,直至石墨呈直径在0.03mm—0.06mm粉末状,本发明的有益效果是:该发明一种单层石墨烯的制备方法将石墨氧化物,研磨成粉,不仅有利于石墨氧化的后面的反应,还除去了石墨氧化物内部的杂质,并通过硫酸亚铁溶液,将石墨氧化物进行还原,和后续过渡金属对石墨氧化物的还原,令石墨氧化物反应充分,制得的石墨烯纯度更高,导电、导热以及柔韧性都有所
如何生长具有特定空间几何结构的单层石墨烯.docx
如何生长具有特定空间几何结构的单层石墨烯概述单层石墨烯是一种具有垂直于基底的sp²杂化轨道的六角形晶体结构。石墨烯具有优异的电学、光学、热学性质,使其受到了极大的关注。本文介绍了目前石墨烯生长的常用方法以及如何在石墨烯中控制空间几何结构的生长。具体而言,介绍了石墨烯生长过程中的化学气相沉积、物理气相沉积等方法,并讨论了石墨烯生长的物理机制。此外,本文还介绍了使用不同底部基底的方法(例如,金属衬底、氧化物衬底等)调控石墨烯几何形态的方法,并对不同的生长条件和参数进行了讨论。石墨烯的生长方法化学气相沉积法化学
一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法.pdf
本发明涉及一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法,包括石墨烯沉积系统、沉积炉和小车;石墨烯沉积系统的石墨烯模具和石墨烯基底设置在内石英管内部,内石英管开口端外部设有密闭法兰,密闭法兰上设有进气口和抽气口;沉积炉炉体右侧设有炉口,加热系统为空腔形,水平滑轨固定在炉口下侧,水平滑轨上滑动连接有石英管夹持装置;小车车体内设有水平升降台和水平夹持装置。本发明的石墨烯基底和模具放置于内石英管中,沉积后可随内石英管拉出快速降温冷却;炉体保温效果良好可直接保持在较高的温度,节约了升降温的时间,也避免了能源的浪费;设备配
一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法.pdf
本发明是一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法,包括如下工艺步骤:(1)选取碳化硅衬底;(2)对衬底进行原位氢气刻蚀,以在衬底表面刻蚀出平直台阶为标准;(3)用氩气将反应室压力充气至大气压;(4)将反应室内氩气排空;(5)关闭分子泵,向反应室通入氩气;(6)保持氩气流量和反应室压力不变,开启基座气浮旋转;(7)向反应室通入工艺气体辅助石墨烯碳化,并控制工艺气体和氩气流量比;(8)关闭加热,关闭工艺气体,将反应室压力充至大气压,开腔取片。本发明可实现层数可控石墨烯薄膜的生长,该方法重复性好,工艺简单易行兼容现