制备纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡的方法.pdf
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制备纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡的方法.pdf
本发明涉及纳米材料制备技术领域,旨在提供制备纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡的方法。该方法的具体步骤包括:向铟源和锡源的混合物中加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺,获得铟源和锡源的混合溶液,再称取聚乙烯吡咯烷酮加入到混合溶液中,得到均一的纺丝溶液,再通过静电纺丝得到复合纳米纤维;将制得的复合纳米纤维移入程序控温的马弗炉中的陶瓷方舟内,进行高温煅烧,得到纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡。本发明工艺条件易实现,可以批量生产,制得的纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡,拥有完善的晶型和均一的形貌,八面体
一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法.pdf
一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法,将金属铟及锡按质量比铟:锡=9.45:1进行混合,然后依次加入去离子水和浓度为37%的盐酸进行搅拌得到溶解物,再加入去离子水使铟离子的浓度达到0.2~0.6mol/L得到稀释物,向稀释物中滴加氨水,使其pH值达到6~8,按常规方式进行抽滤、洗涤及干燥后放入马弗炉中,并以2~4℃/min的升温速度升温至650~750℃进行煅烧,3h后出炉得到淡黄色的纳米级氧化铟锡粉末,制备出的纳米级氧化铟锡粉末粒径均匀、氧化锡掺杂效果好、具有单一的氧化铟立方相结构,具有工艺流程简单、过程可
氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱.pdf
本发明提供一种氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱。本发明的氧化铟纳米柱的制造方法包括步骤:提供高温炉,其中高温炉分为第一区以及第二区;将至少一铟金属源放置于第一区,且将基板放置于第二区;将第一区的温度调变至第一温度,且将第二区的温度调变至第二温度,其中第一温度高于第二温度;以及当第一区的温度达到第一温度,且第二区的温度达到第二温度时,高温炉中通入氩气以及氧气,其中氩气与氧气比在30:1至70:1的范围内,以令多个氧化铟纳米柱形成于基板上。本发明可在省略金属触媒的设置下,有效率地制造出具有方向性的氧化铟纳
一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法.pdf
本发明属于纳米纤维材料制备技术领域,涉及一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法,包括制备聚偏氟乙烯(PVDF)纳米纤维、包裹氧化铟和高温烧结去除PVDF三个步骤:配制PVDF溶液,用静电纺丝装置按常规操作方法进行静电纺丝制得PVDF纳米纤维;利用常规的磁控溅射方法在PVDF纤维表面上包裹一层氧化铟;将包裹有氧化铟的PVDF纤维置于马弗炉中进行烧结,PVDF完全分解即形成中空结构氧化铟纳米纤维;其制备方法简单,原理可靠,制备技术成熟,操作简便,成品率高,成本低,产品性能好,环境友好。
利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化锡的方法.pdf
本发明涉及一种利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化锡的方法,属于半导体材料领域,用纯度为99.99%的锡或氧化锡,制成直径1英寸、厚度0.25英寸的靶;用单晶或玻璃作为衬底,衬底超声波清洗后,在清洁溶剂中清洗20分钟,再用去离子水冲洗,最后用氮气干燥;靶和衬底放入到脉冲激光沉积设备的真空腔内;真空腔的初始压力为2×10?6托,溅射过程中设置氧气压力在5毫托~50托,温度在室温~900℃,激光能量为1~10毫焦每平方厘米,靶到衬底距离为10~80厘米。该方法用的激光是清洁的,只对待蒸镀的材料表面施加热量,来自加