防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103594243103594243A(43)申请公布日2014.02.19(21)申请号201310585772.1(22)申请日2013.11.20(71)申请人宁波科田磁业有限公司地址315034浙江省宁波市江北区慈城城西西路1号申请人宁波金田铜业（集团）股份有限公司(72)发明人徐峰王育平(74)专利代理机构宁波天一专利代理有限公司33207代理人杨高(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)H01F1/08(2006.01)B22F3/16(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法(57)摘要防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，包括按组成配比，采用常规速凝制备成铸片，在氢含量≤400PPM的氢破炉制成粗粉，然后在气流磨中磨成细粉，对已进行磁场取向的磁体进行二次不同压力的压制以减少内应力，经二次模压品进行三个阶段不同升温速度与不同真空度的升温烧结，分别消除水分、去除有机添加剂，消除磁体孔隙内气体和内应力，去除引起磁体开裂的内在隐患，采用三阶段不同冷却速度降温，防止大块磁体因冷却过快而导致冷却开裂。经对照检测表明，本方法既能防止大块永磁体开裂，又能保证烧结钕铁硼磁体的高性能磁特性。CN103594243ACN1035942ACN103594243A权利要求书1/1页1.防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征包括以下步骤：（1）按产品牌号配比，用常规速凝工艺制备铸片，制得厚度为0.25～0.50mm的铸片；（2）将上述的铸片放入氢破炉中氢破碎处理，控制氢含量≤400PPM，制得粉料粒度≤500um粗粉料；（3）将上述氢破粉料放入气流磨中，控制分选轮转速在次3500～5500转/分，含氧量≤10PPM，制得粉料粒度为2.0～5.0um的细粉料；（4）按产品不同规格、重量选取合适的模具，将已气流磨成的细粉装入模具内，在≥2.0T的磁场中取向；（5）对已进行过磁场取向的粉料进行二次压制，第一次模压力为3～5Mpa，压制时间5～10秒，模压密度控制在3.95～4.10克/厘米3，第二模压力为1～3Mpa，压制时间为8～15秒；（6）对经二次模压产品进行三阶段升温烧结，第一阶段升温，从常温升至350℃时，控制升温速度2.5℃/分，第二阶段升温，从350℃升至700℃时，真空度控制≤5pa，升温速度控制在1.5℃/分，第三阶段升温，从700℃升至1030℃～1100℃烧结温度时，真空度控制≤3pa，升温速度控制在1℃/分；（7）对上述经三阶段升温烧结产品分三阶段冷却，从1030～1100℃烧结温度冷却至700℃时，控制冷却速度为1℃/分，从700℃降至500℃为随炉自冷降温，从500℃冷却至室温时，采用变频风冷，控制冷却温度1.5℃/分。2.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于所述三阶段升温烧结的第一阶段升温，当温度升至150℃～200℃时，保温3～5小时去水汽，当温度升至300～350℃，保温3～5小时去除有机添加剂。3.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于第二阶段升温，从350升温至700℃，保持真空度≤5pa，当温度升至580℃时，保温3～6小时进行脱氢。4.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于第三阶段升温，从700℃升至烧结温度1030～1100℃，保持真空度≤3pa，当温度升至800℃时，保温5～8小时，消除孔隙中的气体和内应力，升温至烧结温度1030～1100℃后，保温3～6.5小时。5.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于从500℃冷却至室温的变频风冷为在烧结炉上安装变频冷却控制器，控制烧结风机转速，保证冷却平均温度为1.5℃/分。2CN103594243A说明书1/5页防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法技术领域[0001]本发明涉及烧结钕铁硼磁体的制备方法，特别是一种防止单块重量超过10公斤的高性能钕铁硼磁体开裂的制造方法。背景技术[0002]大块磁体广泛应用于工程中的大型磁力器械、医疗用的核磁共振影像仪等领域，但大块烧结钕铁硼磁体制备非常困难，相关应用或是采用小块粘接的方式，但这样就会造成磁场不均匀，影响使用效果；或是采用电励磁方式，但这样设备变得庞大，笨重，不易操作。[0003]烧结钕铁硼磁体是采用粉末冶金工艺制备，加工流程为：原料－熔炼－氢破－气流磨－取向、成型－烧结。烧结前的粉料压坯相对密度一般为40％-60％之间，同时由于经过前面一系列工序后，压坯会出现一些缺陷，包括：添加的有机物