一种ITiO靶材的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103819177103819177A(43)申请公布日2014.05.28(21)申请号201310669031.1(22)申请日2013.12.11(71)申请人广西晶联光电材料有限责任公司地址545036广西壮族自治区柳州市阳和工业园阳和北路西2号(72)发明人黄誓成何建进陆映东(74)专利代理机构柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙)45113代理人韦微(51)Int.Cl.C04B35/01(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书2页说明书2页(54)发明名称一种ITiO靶材的制备方法(57)摘要本发明涉及一种靶材的制备方法，特别是一种高性能ITiO靶材的制备方法。包括以下步骤：（1）将TiO2纳米粉体与In2O3纳米粉体均匀球磨混合得到ITiO粉体，ITiO粉体中TiO2的含量为0.5-5wt%，然后添加ITiO粉体质量1%-5%的粘结剂PVA；（2）将ITiO粉体装入模具中在40-80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/min的升温速率升温，至1450～1550℃保温烧结6～12小时，之后按降温速率0.75～1℃/min降温至950-1050℃，之后自然降温；得到ITiO靶材。该方法可制备得到高性能ITiO靶材（高致密度、相对密度>98%，导电性良好，靶材电阻率<4.0x10-4Ω•cm），弥补国内高性能ITiO靶材生产制作的空白。CN103819177ACN103897ACN103819177A权利要求书1/1页1.一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将TiO2纳米粉体与In2O3纳米粉体均匀混合得到ITiO粉体，ITiO粉体中TiO2的含量为0.5-5wt%，然后添加ITiO粉体质量1%-5%的粘结剂PVA进行造粒；（2）将ITiO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/min的升温速率升温，至1350～1550℃保温烧结6～12小时，之后按降温速率0.75～1℃/min降温至950～1050℃，之后自然降温；得到ITiO靶材。2.根据权利要求1所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的第一次成型是在液压机中压制成型，第二次成型是在冷等静压机中压制成型。3.如权利要求1或2所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的烧结是在常压烧结炉的氧气氛围中进行烧结。4.如权利要求1或2所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的烧结的升温速率为0.3-1℃/min。5.如权利要求1或2所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的TiO2纳米粉体与In2O3纳米粉体的纯度为99.99%以上。2CN103819177A说明书1/2页一种ITiO靶材的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种靶材的制备方法，特别是一种高性能ITiO靶材的制备方法。背景技术[0002]普遍用于染料敏化太阳能电池（DSSC）透明导电电极的有FTO（氧化锡掺氟）和ITO（氧化铟掺锡）薄膜等，这些薄膜成本高且用于批量生产较为复杂，同时在红外线区域的透过率和热阻都有较大的局限性。故如果能够研发一种成本低、批量生产简单，且红外线区域具有高的透过率和高导电性的薄膜用于替代上述薄膜，将具有很广泛的应用前景。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是：提供一种可靠的ITiO靶材的制备方法，该方法可制备得到高性能ITiO靶材（相对密度>98%，导电性良好，靶材电阻率<4.0x10-4Ω•cm），弥补国内高性能ITiO靶材生产制作的空白。[0004]解决上述技术问题的技术方案是：一种ITiO靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将TiO2纳米粉体与In2O3纳米粉体均匀混合得到ITiO粉体，ITiO粉体中TiO2的含量为0.5-5wt%，然后添加ITiO粉体质量1%-5%的粘结剂PVA进行造粒；（2）将ITiO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/min的升温速率升温，至1350～1550℃保温烧结6～12小时，之后按降温速率0.75～1