ITiO旋转靶材及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111233440A(43)申请公布日2020.06.05(21)申请号202010116105.9C04B35/634(2006.01)(22)申请日2020.02.25(71)申请人基迈克材料科技（苏州）有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区汾湖经济开发区汾杨路东侧(72)发明人甘志俭庄志杰诸斌庄猛杨斌(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人侯武娇(51)Int.Cl.C04B35/01(2006.01)C04B35/622(2006.01)C23C14/34(2006.01)C04B35/632(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称ITiO旋转靶材及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种ITiO旋转靶材及其制备方法。ITiO旋转靶材的制备方法包括如下步骤：按照质量份数，将90份～99.5份的In2O3纳米粉体、0.5份～10份的TiO2纳米粉体、0.5份～5份的分散剂、0.5份～5份的粘接剂与水混合均匀，研磨后得到浆料；其中，In2O3纳米粉体的比表面积为225m/g～20m/g，TiO2纳米粉体的比表面积为20m2/g～50m2/g；将浆料进行喷雾造粒，得到ITiO粉体；将ITiO粉体装入模具中，使用冷等静压成型，得到旋转靶材素坯；以及将旋转靶材素坯进行烧结，退火之后得到ITiO旋转靶材。经试验证明，本发明的上述ITiO旋转靶材的制备方法制备得到ITiO旋转靶材的相对密度≥98％，ITiO旋转靶材的电阻率≤4.0×10-4Ω·cm，因此，通过上述ITiO旋转靶材的制备方法能够得到致密度和导电性良好的高性能ITiO旋转靶材。CN111233440ACN111233440A权利要求书1/1页1.一种ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：按照质量份数，将90份～99.5份的In2O3纳米粉体、0.5份～10份的TiO2纳米粉体、0.5份～5份的分散剂、0.5份～5份的粘接剂与水混合均匀，研磨后得到浆料；其中，所述In2O3纳米2222粉体的比表面积为5m/g～20m/g，所述TiO2纳米粉体的比表面积为20m/g～50m/g；将所述浆料进行喷雾造粒，得到ITiO粉体；将所述ITiO粉体装入模具中，使用冷等静压成型，得到旋转靶材素坯；以及将所述旋转靶材素坯进行烧结，退火之后得到ITiO旋转靶材。2.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述分散剂选自聚丙烯酰胺、聚羧酸铵盐、聚乙烯羧酸类和硬脂酸盐类中的至少一种。3.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述粘接剂选自聚乙烯醇、丙烯酸乳液、羧甲基纤维素和聚丙烯酸酯中的至少一种。4.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，将所述In2O3纳米粉体、所述TiO2纳米粉体、所述分散剂、所述粘接剂与水混合均匀的操作为：将所述In2O3纳米粉体与所述TiO2纳米粉体混合之后得到混合粉体，将所述分散剂、所述粘接剂与水混合之后得到预混液，之后将所述混合粉体与所述预混液混合均匀。5.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述研磨的操作为：采用砂磨设备进行研磨，砂磨的时间为1h～8h，砂磨的转速为500rpm～1500rpm。6.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述浆料的固含量为40％～60％。7.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述喷雾造粒的温度为200℃～300℃。8.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述冷等静压的压力为200mpa～280mpa。9.根据权利要求1所述的ITiO旋转靶材的制备方法，其特征在于，所述烧结与退火的条件为：在含氧气氛、常压条件下，以不高于1℃/min的升温速率升温至600℃～700℃完成脱脂作业，之后以不高于5℃/min的升温速率升温至至1400℃～1600℃保温烧结8小时～10小时，之后按降温速率0.5℃/min～1℃/min降温至小于1000℃，之后自然降温。10.一种ITiO旋转靶材，其特征在于，所述ITiO旋转靶材由权利要求1～9中任一项所述的ITiO旋转靶材的制备方法制备得到。2CN111233440A说明书1/6页ITiO旋转靶材及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及靶材技术领域，特别是涉及一种ITiO旋转靶材及其制备方法。背景技术[0002]靶材是用作镀膜的材料。与ITO(氧化铟锡)薄膜相比，ITiO(氧化铟钛)薄膜具有更高的导电性和近红外区域的光透过性能，因此其在太阳能电池领域和光通信电极领域具有良好的应用性能。同时，ITiO薄膜