一种单面非晶硅的沉积方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111261751A(43)申请公布日2020.06.09(21)申请号202010129180.9C23C16/50(2006.01)(22)申请日2020.02.28(71)申请人苏州拓升智能装备有限公司地址215000江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路1258号B3幢二楼(72)发明人闫宝杰叶继春曾俞衡郑晶茗陈晖王玉明(74)专利代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369代理人祁云珊(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/20(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/40(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种单面非晶硅的沉积方法(57)摘要本发明公开了一种单面非晶硅的沉积方法，包括以下步骤：步骤1，在硅片的正面沉积一层10～100nm厚的沉积层，所述沉积层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层中的任意一种；步骤2，在硅片背面沉积1～5nm厚的超薄遂穿层，在超薄遂穿层上沉积10～500nm厚的非晶硅层；步骤3，清洗硅片正面及边缘的沉积层，只留下背面的超薄遂穿层与非晶硅层。根据本发明，其该既能够达到良好的去除绕度的效果又不会损伤硅片的质量而影响电池成品率，并且无需添置新设备，也工艺过程简单，无需反复镀膜去膜的繁琐工艺制程即可实现绕度的去除。CN111261751ACN111261751A权利要求书1/1页1.一种单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，在硅片的正面沉积一层10～100nm厚的沉积层，所述沉积层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层中的任意一种；步骤2，在硅片背面沉积1～5nm厚的超薄遂穿层，在超薄遂穿层上沉积10～500nm厚的非晶硅层；步骤3，清洗硅片正面及边缘的沉积层，只留下背面的超薄遂穿层与非晶硅层。2.如权利要求1所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，步骤1中氮化硅和氧化硅层的沉积方法为板式PECVD法、管式PECVD法及电感耦合PECVD(ICP)中的至少一种。3.如权利要求2所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，PECVD法中采用的反应气体为硅烷与氮气、硅烷与氨气(NH3)硅烷与笑气(N2O)或者硅烷与二氧化碳中的任意一种组合。4.如权利要求1所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，步骤1中氧化铝层的沉积方法为管式PECVD、板式PECVD、电感耦合PECVD或ALD法中的至少一种。5.如权利要求1所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，步骤3中清洗硅片正面及边缘的沉积层的方法为湿化学清洗法。6.如权利要求5所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，所述湿化学清洗法包括采用HF酸溶液清洗法。2CN111261751A说明书1/4页一种单面非晶硅的沉积方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能光伏电池制造领域，特别涉及一种单面非晶硅的沉积方法。背景技术[0002]在能源匮乏、环境污染的当今时代，清洁能源的发展越来越被人们所关注，光伏技术作为清洁能源技术的重要主流技术之一已经走向了商业化，为了进一步降低光伏发电的成本，提升太阳能电池的效率是根本途径。隧穿氧化硅加重掺杂多晶硅选择性接触太阳电池是一种新型高效晶体硅太阳能电池。这种电池结构是通过在硅片背面制备一层超薄隧穿层，然后在隧穿层上覆盖一层重掺杂多晶硅，实现钝化接触结构，从而提升电池效率。多晶硅层通常是通过化学气相沉积(如PECVD，LPCVD和APCVD)或物理气相沉积(如sputtering，e-beamevaporation,thermalevaporation。然而，无论是化学气相沉积还是物理气相沉积在硅片背表面沉积非晶硅薄膜时都会不同程度地在硅片边缘和正面形成绕度，严重影响电池的水平，降低电池效率。现有的去除绕度的非晶硅制备方法有3种：[0003]第一种，生产中的一般工艺。保留扩散后的正面硼/磷硅玻璃层(BSG/PSG)，在后续的湿化学清洗BSG/PSG的同时可以去除正面被覆盖区域的非晶硅膜，但是这种方法很难去除覆盖在硅片边缘的硅薄膜层，去绕度效果不理想；[0004]第二种，在第一种方法的基础上增加使用等离子体刻蚀技术，把残留在边缘的非晶硅薄膜刻蚀掉，虽然可以去除硅片边缘分硅薄膜层，但是这种方法有一定的过度刻蚀的风险，操作过程中易磨损硅片表面，降低硅片的质量，会导致电池良品率的降低；[0005]第三种，先在硅片正面沉积掩膜，然后在背面沉积非晶硅薄膜，此时会在硅片边缘和正面区域产生绕度，接着只在背面沉积掩膜，对正面的绕度非晶硅进行刻蚀处理，最后用湿化学法清洗掩膜得到单面非晶硅，这种方法虽然去绕度效果比较理想但是工艺太复杂，制程繁琐，在生产上应用价值不高。[000