一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103776869103776869A(43)申请公布日2014.05.07(21)申请号201210402948.0(22)申请日2012.10.18(71)申请人西安交大京盛科技发展有限公司地址710075陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N705A(72)发明人田边(74)专利代理机构西安智大知识产权代理事务所61215代理人刘国智(51)Int.Cl.G01N27/00(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书2页说明书2页(54)发明名称一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法(57)摘要一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法，在单晶硅衬底上沉积一层氧化硅绝缘层，再在绝缘层上涂一层光刻胶；将梳状交叉电极模板与所述光刻胶通过接触式曝光使对应的光刻胶剥落；在氧化硅绝缘层表面溅射一层铬膜，在铬膜上再溅射一层金膜，之后将整个衬底置入到酒精中使未曝光的光刻胶剥落，形成铬-金梳状交叉电极；将活性碳和氧化锡粉末放入小石英管中,然后在离混合粉末1cm处放置上述带铬-金梳状交叉电极的衬底，接着将此小石英管置于大石英管中放入真空炉中抽真空，然后通入氮气，升温，冷却，附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上的灰白色棉絮状物质即为氧化锡纳米线，其附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上形成氧化锡纳米线气体传感器。CN103776869ACN1037689ACN103776869A权利要求书1/1页1.一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，制备梳状交叉电极步骤1.1，在纯氧环境下用真空炉在面积为3cm×3cm-5cm×5cm的单晶硅衬底上沉积一层氧化硅绝缘层，再用光刻机在所述绝缘层上涂一层光刻胶；步骤1.2，将梳状交叉电极模板与所述光刻胶通过接触式曝光使得梳状交叉电极位置对应的光刻胶剥落；步骤1.3，在氧化硅绝缘层表面溅射一层200-300nm的铬膜，在铬膜上再溅射一层80-100nm的金膜，之后将整个衬底置入到酒精中使未曝光的光刻胶剥落，从而形成铬-金梳状交叉电极；步骤2，制备氧化锡纳米线气体传感器将活性碳和氧化锡粉末以质量比1:2-4的比例混合放入小石英管中,然后在离混合粉末1cm处放置上述带铬-金梳状交叉电极的衬底，接着将此小石英管置于大石英管中，再一起放入真空炉中抽真空，然后通入氮气，升温至900-950℃保温1-2h，冷却后，附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上的灰白色棉絮状物质即为氧化锡纳米线，其附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上形成氧化锡纳米线气体传感器。2CN103776869A说明书1/2页一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法技术领域[0001]本发明涉及气体传感器技术领域，特别涉及一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法。背景技术[0002]气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器。探测头通过气体传感器对气体样品进行调理，通常包括滤除杂质和干扰气体、干燥或制冷处理仪表显示部分。[0003]传统的气体传感器所用材料灵敏度和稳定性都比较差，纳米材料已经成为主流，尤其是金属氧化物纳米结构的气体传感器，功耗低，制备简单，能与半导体材料完美匹配，受到越来越多的应用，但是目前的金属氧化物纳米线气体传感器还是采用非自组方式制备，制备所得传感器的气敏特性有待提高。发明内容[0004]为了克服上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法。[0005]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：[0006]一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法，包括如下步骤：[0007]步骤1，制备梳状交叉电极[0008]步骤1.1，在纯氧环境下用真空炉在面积为3cm×3cm-5cm×5cm的单晶硅衬底上沉积一层氧化硅绝缘层，再用光刻机在所述绝缘层上涂一层光刻胶；[0009]步骤1.2，将梳状交叉电极模板与所述光刻胶通过接触式曝光使得梳状交叉电极位置对应的光刻胶剥落；[0010]步骤1.3，在氧化硅绝缘层表面溅射一层200-300nm的铬膜，在铬膜上再溅射一层80-100nm的金膜，之后将整个衬底置入到酒精中使未曝光的光刻胶剥落，从而形成铬-金梳状交叉电极；[0011]步骤2，制备氧化锡纳米线气体传感器[0012]将活性碳和氧化锡粉末以质量比1:2-4的比例混合放入小石英管中,然后在离混合粉末1cm处放置上述带铬-金梳状交叉电极的衬底，接着将此小石英管置于大石英管中，再一起放入真空炉中抽真空，然后通入氮气，升温至900-950℃保温1-2h，冷却后，附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上的灰白色棉絮状物质即为氧化锡纳米线，其附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上形成氧化锡纳米线气体传感器。[001