一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法.pdf
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一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法.pdf
本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法,等径过程中炉内压力变化如下:(1)等径前期:炉内压力保持为75?105Torr之间某一值不变或由75?105Torr均匀升高到90?160Torr;(2)等径中期:从等径前期的炉内压力均匀下降到85?65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变;(3)等径后期:维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75?50Torr后再维持最低压力不变;晶体拉速的变化如下:(1)等径前期:晶体拉速从45?65mm/hr均匀降到40?25mm/hr;(2
低电阻率重掺砷硅单晶生产方法.pdf
本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶生产方法,属于掺杂硅单晶生产技术领域。方法包括化料、高温处理、一次安定、一次籽晶试温、降温、砷掺杂、二次安定、二次籽晶试温、引晶、放肩、等径、收尾步骤,其中,降温过程中,使硅熔液液面温度相比引晶温度降低20℃~50℃,砷掺杂过程中,设定单晶炉炉压为20kPa~25kPa。实践表明,采用该方法能够有效降低得到的低电阻率重掺砷硅单晶晶棒的电阻率,砷掺杂剂的用量相比气相掺杂过程降低约7.4%,降低重掺砷硅单晶晶棒发生晶变的概率。
重掺硼硅单晶棒的拉制方法.pdf
本发明公开了一种重掺硼硅单晶棒的拉制方法,其特征在于,使用封闭热场拉制硅单晶棒,封闭热场内设置有石英坩埚,所述石英坩埚尺寸为14寸,每次拉制投料量为22kg-27kg;封闭热场内氩气流量为50-60L/min;炉内压力为10-15Torr;坩埚转速为5-15rpm。本发明中的重掺硼硅单晶棒的拉制方法,晶棒头部的氧含量低于26ppma;尾部氧含量低于23.9ppma。
一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置.pdf
本发明涉及一种重掺砷低电阻硅单晶的装置,包括热屏内胆、热屏外胆、石英锅、碳毡、石英环、石英环导向管,石英环为用石英拉制出一石英管和在其上有数根石英环导气管导通管,且数根石英环导气管相对石英管成垂直弯曲,热屏内胆、碳毡、热屏外胆上有与石英环导气管数量相同的通孔,石英环导向管固定于孔内,使石英环导向管外壁距石英锅内壁20-100mm,石英环导气管插于石英环导向管内并可自由滑动,使用时,砷置于石英管内,通过在炉盖上安装的提升装置使石英环上下升降于石英锅内硅熔液液面之上,技术效果是,结构简单,改造容易,通过石英环
一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法.pdf
本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法,在等径工序中,所采用的工艺为:(1)等径前期,炉室压力由70?90Torr升到180?220Torr;(2)等径中期,炉室压力维持在等径前期升至的高压不变;(3)等径后期,炉室压力由所述高压降到120?150Torr;在整个等径过程中,晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01?0.2mm/hr的速度下降,在整个等径过程中,晶体拉速由55?60mm/hr降至20?25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力,能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象