ZnTe单晶体的制备方法.pdf
一吃****新冬
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ZnTe单晶体的制备方法.pdf
本发明公开了一种ZnTe单晶体的制备方法,用于解决现有方法制备的ZnTe单晶体尺寸小的技术问题。技术方案是首先对石英坩埚进行处理,并在石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。将单质Zn和Te装入处理好的石英坩埚中并真空封装。将真空封装好的石英坩埚装入摇摆炉中,使用阶梯升温、摇摆,使融化的单质Zn和Te充分混合,摇摆结束后保温,之后炉冷至室温。对上下炉体升温到预设的目标温度后进行保温,后下降石英坩埚进行晶体选晶生长,晶体生长一段时间后,对上下炉体同时同速率降温,晶体生长结束,降温退火后关闭电源进行炉冷。本发明通过对长晶
一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法.pdf
本发明公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法,该装置包括:加热炉,延轴向依次包括恒温区和线性降温区,所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔;石英管,安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动;组合石英舟,由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态,在所述第一工作状态时,所述主舟与长晶套管分离,抽石英管内气压至10
在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法.pdf
本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法,用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内,生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强,加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底,加热到一定温度后,生长源继续升温至目标温度,衬底停止加热,依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离,来控制生长Zn
碲镓银单晶体的制备方法.pdf
本发明公开了一种碲镓银单晶体的制备方法,用于解决现有碲镓银晶体的方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将高纯原料碲镓银加热到银的熔点,使碲镓银三种原料充分熔化反应,转动炉体使反应充分进行,之后以一定的速率降温到凝固点,断开炉体开关,以炉冷速率降温到室温。然后将合成的多晶料放入布里奇曼法生长炉中,以一定的加热,并过热保温一段时间后,在温场为10-15℃/cm,结晶温度为712℃处开始生长,生长完成后在670-680℃停留一段时间,进行原位退火,之后以5℃/h的冷却速率降到室温。由于采用加热到银的熔点温度来实
超高纯砷单晶体片的制备方法.pdf
本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤:(1)石英管表面处理(2)超高纯砷脱氧封装(3)置于水平管式炉内(4)水平管式炉熔料和冷却结晶,本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力,达到砷熔化和晶体生长的目的,在常温过冷条件下,管内液态砷达到过冷度时生长晶体,每管生成30~60片,并以孪晶方式生成单晶片,可满足国内产品质量要求及出口质量要求,有较好的应用前景。