在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法.pdf
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在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法.pdf
本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法,用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内,生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强,加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底,加热到一定温度后,生长源继续升温至目标温度,衬底停止加热,依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离,来控制生长Zn
衬底、外延片及衬底的制备方法.pdf
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图案化的衬底上的外延膜生长.pdf
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本发明涉及半导体技术领域,公开了一种复合衬底及制备方法以及包含该衬底的外延结构和芯片,衬底包括:衬底本体上具有呈周期性间隔排列的图案化凹坑结构,凹坑结构上具有金属反射层,金属反射层上具有低折射率介质层,低折射率介质层将金属反射层完全包裹。本发明通过低折射率介质层、凹坑结构包裹金属反射层与无损伤生长面的多重技术组合,改善外延底层晶体质量与内量子效率,改善反射效果以提高出光效率,从内量子效率与出光效率二方面来提高LED芯片的光效水平。