在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法.pdf

本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强，加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底，加热到一定温度后，生长源继续升温至目标温度，衬底停止加热，依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离，来控制生长Zn

2023-06-19

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衬底、外延片及衬底的制备方法.pdf

本公开提供了一种衬底、外延片及衬底的制备方法，属于光电子制造技术领域。该衬底包括：衬底本体和导热件，衬底本体的一面具有多个盲孔，导热件与盲孔一一对应，且导热件至少部分位于对应的盲孔内。本公开能够改善衬底的散热性能。

2023-06-27

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一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法.pdf

本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定；利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，利用HCl气体对硅衬底片表面进行抛光；采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；在硅片上生长一层很薄的本征外延层；进行掺杂外延层的生长；掺杂外延层生长达到预定厚度后开始降温；对外延片九个测试点的厚度进行测量，从而获得硅外延片的平均厚度及其均匀性。实现了对400μm的薄Sb衬底的外延生长的良好控制，其厚度不均匀性

2023-06-18

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图案化的衬底上的外延膜生长.pdf

实施例包括将材料沉积到衬底上，其中，所述材料包括与所述衬底不同的晶格常数(例如，Si衬底上的III-V或IV族外延(EPI)材料)。实施例包括在沟槽内形成的EPI层，所述沟槽具有随着所述沟槽向上延伸而变窄的壁。实施例包括使用多个生长温度在沟槽内形成的EPI层。当温度改变时在所述EPI层中形成的缺陷势垒包含在所述沟槽内和缺陷势垒下方的缺陷。在所述缺陷势垒上方和所述沟槽内的所述EPI层相对无缺陷。实施例包括在沟槽内退火的EPI层，用以诱导缺陷消失。实施例包括在沟槽内形成的并以相对无缺陷的EPI层覆盖的EPI超

2023-06-14

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石墨衬底多晶硅厚膜制备及性能分析.docx

石墨衬底多晶硅厚膜制备及性能分析石墨衬底多晶硅厚膜制备及性能分析摘要：本文通过对石墨衬底多晶硅厚膜的制备方法进行研究，并对其性能进行分析。首先介绍了石墨衬底多晶硅薄膜的应用领域及其对性能的要求，然后针对传统制备方法存在的问题，分析了目前常用的两种制备方法，即低压化学气相沉积（LPCVD）和放电等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。随后对这两种方法进行了详细的实验研究，比较了它们的制备工艺、薄膜结构和性能，并对其差异进行了深入分析。最后，对多晶硅薄膜的电学、光学、力学和热学性能进行了测量和分析，得出了石墨

2024-10-22

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