一种异质结太阳能电池及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031323A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310067168.3(22)申请日2023.01.18(71)申请人苏州迈为科技股份有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区芦荡路228号(72)发明人郁操王琦董刚强冉孝超赵宇(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师赖远龙(51)Int.Cl.H01L31/076(2012.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图6页(54)发明名称一种异质结太阳能电池及其制备方法(57)摘要本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；在第一掺杂层远离硅片的表面沉积第一缓冲层；在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二缓冲层；在第一缓冲层远离硅片的表面沉积第一氧化锡层，在第二缓冲层远离硅片的表面沉积第二氧化锡层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。采用本方法能够降低生产成本，且可靠性高，提高光利用率。CN116031323ACN116031323A权利要求书1/2页1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅片；所述硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在所述第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在所述第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；在所述第一掺杂层远离硅片的表面沉积第一缓冲层；在所述第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二缓冲层；在所述第一缓冲层远离硅片的表面沉积第一氧化锡层，在所述第二缓冲层远离硅片的表面沉积第二氧化锡层，得到电池第一样品；对所述第一样品进行电镀铜，得到第一电池。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述第一电池的主栅进行掩膜；在第一氧化锡层远离硅片的表面沉积第一减反层；在所述第一减反层远离硅片的表面沉积第二减反层，得到第二样品；对所述第二样品进行表面处理并封装，得到第二电池。3.根据权利要求1或2任一项所述的方法，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度小于所述第一缓冲层的厚度。4.根据权利要求1或2任一项所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层材料不同。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一减反层由多层氧化硅构成，且不同氧化硅层的折射率不同。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一减反层由多层氧化硅构成，且不同氧化硅层的折射率不同包括：所述第一减反层靠近硅片一侧到远离硅片一侧的折射率呈线性变化。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一氧化锡层远离硅片的表面沉积第一减反层包括：在第一氧化锡层远离硅片的表面沉积第一层氧化硅膜；在所述第一层氧化硅膜远离硅片的表面沉积第二层氧化硅膜；在所述第二层氧化硅膜远离硅片的表面沉积第三层氧化硅膜；其中，所述第一层氧化硅膜、所述第二层氧化硅膜、所述第三层氧化硅膜折射率依次递减。8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一电池的主栅进行掩膜包括：通过封装胶带的方式对所述第一电池的主栅进行掩膜，或采用丝印的方式印刷感光胶对主栅进行掩膜。9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第二样品进行表面处理并封装包括：去除第二样品铜栅线表面的胶带或感光胶。10.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述电池包括：硅片，所述硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；2CN116031323A权利要求书2/2页第一钝化层，沉积在所述第一表面上；第一掺杂层，沉积在第一钝化层远离硅片的表面上；第二钝化层，沉积在所述第二表面上；第二掺杂层，沉积在第二钝化层远离硅片的表面上；第一缓冲层，沉积在所述第一掺杂层的远离硅片的表面上；第二缓冲层，沉积在所述第二掺杂层的远离硅片的表面上；第一氧化锡层，沉积在所述第一缓冲层远离硅片的表面上；第二氧化锡层，沉积在所述第二缓冲层远离硅片的表面上；第一电镀铜电极，沉积在所述第一氧化锡层的远离硅片的表面上；第二电镀铜电极，沉积在所述第二氧化锡层的远离硅片的表面上。11.根据权利要求10所述的电池，其特征在于，所述电池还包括：第一减反层，沉积在所述第一氧化锡层的远离硅片的表面上；第二减反层，沉积在所述第一减反层的远离硅片的表面上。3CN116031323A说明书1/12页一种异质结太阳能电池及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及新能源、光伏和半导体技术领域，特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。背景技术[0002]晶硅异质结太阳电池因其能获得更高的开路电压和转换效率，近年来国内主要光伏企业开始纷纷投