一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法.pdf

本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法，首先对Si3N4粉进行热处理和酸洗处理，然后配制Si3N4浆料，用流延工艺制备Si3N4薄层，对薄层切割叠层后得到多孔的氮化硅粉预制体。然后采用高纯硅粉对预制体进行液硅渗透，得到致密的Si3N4/Si。在氮化炉中对Si3N4/Si进行氮化处理，使材料中的Si发生氮化反应生成Si3N4。与制备高导热氮化硅陶瓷常用的工艺如等静压烧结、热压烧结等相比，本发明采用流延法结合液硅渗透成型，氮化烧结工艺，不需或仅需少量机械加工，制备温度低，且不需要添加烧结助剂，避免了晶界相对

2023-06-19

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一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法.pdf

本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的

2023-06-15

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一种高导热氮化硅基板的制备方法.pdf

本发明公开了一种高导热氮化硅基板的制备方法。属于陶瓷材料制备技术领域。本发明采用氮化硅粉末为原料，添加稀土氧化物和碱土金属氧化物作为混合烧结助剂，加入量为6wt％～10wt％，加入高分子化合物并在有机溶剂中球磨混合形成浆料。经流延成形为坯体，在氮气中1400℃～1600℃下预烧结1‑5h，再在气压烧结炉中1800℃～2000℃保温2‑10h，其氮气压力为0.5‑3MPa。本发明使用的氮化硅粉末为高纯α相氮化硅，具有很高的比表面积和高的烧结活性，能够有效降低致密化温度。加入的高分子含碳化合物为多组元，在惰性

2023-06-16

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一种LED用高导热率氮化硅‑氮化铝复相陶瓷基板及其制备方法.pdf

本发明公开了一种LED用高导热率氮化硅‑氮化铝复相陶瓷基板，包括如下重量份原料：氮化硅80‑120份；氮化铝80‑120份；添加剂2‑10份；所述添加剂由如下重量份物质组成：氟化镁1‑3份；氟化钇1‑3份；碳酸锂1‑3份；最佳陶瓷基板的物化性能为，导热率为330W/(m·k)，弯曲强度为950Mpa，维氏硬度为20GPa。

2023-06-25

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一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法.pdf

一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法。本发明为了寻找AlN陶瓷最佳的制备工艺，以满足AlN陶瓷实际生产的需要。本方法如下：一、助烧剂的制备，二、将氮化铝和助烧剂进行球磨处理，球料比为10～30:1，球磨时间1～14h；三、将步骤二所得粉体烘干后，放入模具中，在烧结炉中一定温度、一定压力下保持一定时间；四、冷却后脱模即得高导热陶瓷片。本发明制备的AlN陶瓷成本低，操作简单，强度高等优点。

2023-06-15

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