一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法.pdf
雨巷****彦峰
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本发明涉及一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法,将硫粉和钼源置于瓷舟内待用,将实验用固态基体分别置于丙酮、异丙醇各超声一段时间,以去除基体表面的杂质;然后将基体置于放有钼源的瓷舟之上,最后分别把放有硫源和钼源的瓷舟置于管式炉中;通入惰性气体Ar来除尽管式炉中的空气,设置管式炉中钼源所在温区加热到650~850℃;同样的管式炉中硫源所在温区温度加热到145~200℃;保持温度10~20min后温度冷却至室温;得到了单层或者少层大面积厘米级的二硫化钼薄膜材料。本发明制得二硫化钼薄膜材料,具有大面积、单层或少层
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本发明公开了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法,其主要步骤为:1)将硫粉末和三氧化钼粉末分别装入两个石英舟中,将衬底放置于盛有三氧化钼粉末的石英舟上,正面朝下;2)将盛有硫粉末和三氧化钼粉末的两个石英舟分别放置于一根石英试管的底端和管口处;3)?将上述石英试管放置于管式炉中,试管底端和管口分别处于管式炉的边缘区和中心区;4)向管式炉中通入保护气体氩气或氮气,且保持常压,直至实验结束;5)以一定的升温速率升温管式炉,使管式炉的边缘区和中心区分别处于适当温度,并保持一段时间,硫粉末升华后与气相三氧化钼
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一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法摘要:本文介绍一种用化学气相沉积法制备大面积单层及少层二硫化钼薄膜的方法。首先通过化学气相沉积法制备出的MoO3薄膜,随后在高温高压气氛下,使其转化为MoS2薄膜。实验结果表明,该方法可制备出大面积单层及少层二硫化钼薄膜,并且具有良好的电学和光学性质。关键词:化学气相沉积法;二硫化钼薄膜;单层和少层;电学和光学性质引言:二硫化钼属于过渡金属二硫化物材料,具有优异的光电学性能,如高导电性、高透过率、较高的氧化还原电势等。由于