一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
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一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法,其主要步骤为:1)将硫粉末和三氧化钼粉末分别装入两个石英舟中,将衬底放置于盛有三氧化钼粉末的石英舟上,正面朝下;2)将盛有硫粉末和三氧化钼粉末的两个石英舟分别放置于一根石英试管的底端和管口处;3)?将上述石英试管放置于管式炉中,试管底端和管口分别处于管式炉的边缘区和中心区;4)向管式炉中通入保护气体氩气或氮气,且保持常压,直至实验结束;5)以一定的升温速率升温管式炉,使管式炉的边缘区和中心区分别处于适当温度,并保持一段时间,硫粉末升华后与气相三氧化钼
一种单层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
本发明公开一种单层二硫化钼薄膜的制备方法,属于二维纳米材料技术领域。该单层二硫化钼薄膜采用双管管式炉制备,制备过程包括如下步骤:将硫源、衬底置于管式炉的外管中,分别加热硫源、衬底至第一温度和第三温度;将二硫化钼源置于管式炉的内管中,加热二硫化钼源至第二温度,第二温度为500℃~550℃;通过外管引入第一路载气、引导硫蒸汽至衬底;通过内管引入第二路载气、引导二硫化钼蒸汽至衬底,在衬底上外延生长出单层二硫化钼薄膜;第二路载气含有氧气。本发明的方法可以使钼源(二硫化钼)在较低温度下分解,与现有方法中需将钼源加热
一种单层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
本发明的公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1,通过使用真空管式炉设置三个温区,将硫粉置于一温区;将三氧化钼粉置于二温区;将衬底放在带盖的坩埚底部,然后将坩埚放置在三温区;步骤2,向真空管式炉中通载气;步骤3,将二温区加热到150~350℃,将三温区加热到150~350℃;步骤4,将二温区加热到580~800℃,得气态的MoO
一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法.pdf
本发明涉及一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法,将硫粉和钼源置于瓷舟内待用,将实验用固态基体分别置于丙酮、异丙醇各超声一段时间,以去除基体表面的杂质;然后将基体置于放有钼源的瓷舟之上,最后分别把放有硫源和钼源的瓷舟置于管式炉中;通入惰性气体Ar来除尽管式炉中的空气,设置管式炉中钼源所在温区加热到650~850℃;同样的管式炉中硫源所在温区温度加热到145~200℃;保持温度10~20min后温度冷却至室温;得到了单层或者少层大面积厘米级的二硫化钼薄膜材料。本发明制得二硫化钼薄膜材料,具有大面积、单层或少层
一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种制备大面积均匀单层石墨烯薄膜的方法。该方法将电化学抛光后的单晶基底铜(111)放入高温管式炉,采用化学气相沉积法即可得到大面积均匀单层石墨烯薄膜。本发明利用两步碳源供给,先高碳源生长多层石墨烯大面积薄膜,继而降低碳源,并维持小碳源的长时间供给,多层区域优先刻蚀,最终会达到刻蚀与生长的动态平衡,得到大面积连续单层石墨烯薄膜。