一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法.pdf
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一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法.pdf
本发明涉及一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法,具体步骤是:选取超高活性ITO纳米粉,将造粒后的ITO粉通过模压成型,成型压力25~80MPa,保压时间15~300秒;再经冷等静压加固,等静压压力为180~300MPa,保压时间为300~1200秒;然后直接放入烧结炉中,通入气氛并以一定的升温速率,分多段升温保温,再以一定的速率进行降温至室温来完成烧结。其特点是,将添加成型剂造粒后的ITO粉通过模压成型,冷等静压加固后,直接放入烧结炉进行烧结。将原有的脱脂过程通过烧结制程的设计,融入烧结过程,一并在烧结炉
一种高密度ITO靶材的常压烧结方法.pdf
本发明公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法,属于ITO靶材加工技术领域,该常压烧结方法包括以下步骤:S1、ITO平面素坯的放置:将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上,以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯,相邻ITO平面素坯通过放置面上的限位柱隔开;S2、ITO靶材的烧结:在常压氧气氛条件下,通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯进行烧结,ITO平面素坯采用分段式烧结。本发明解决了传统ITO靶材常压烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。
一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法.pdf
本发明公开了一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法,其包括以下步骤:1)将纯度大于99.99%的ITO粉体,依次经模压处理及冷等静压处理后,得到ITO素坯;2)将ITO素坯进行脱脂处理后,对ITO素坯进行抽真空并向素坯孔隙中填充氧气处理;3)步骤2)中经抽真空及充氧处理后的素坯在常压通氧气氛下进行常压烧结处理,即得所述的ITO靶材。本发明通过对ITO素坯进行抽真空、并向素坯的孔隙中充入氧气,使得在常压氧气氛烧结过程中,素坯孔隙中的氧以及炉膛中的氧共同抑制了ITO在烧结过程中的分解及挥发,从而以
一种ITO靶材烧结尺寸控制方法.pdf
本发明公开了一种ITO靶材烧结尺寸控制方法,本发明作为一种ITO靶材烧结尺寸控制方法,通过晾坯:将ITO靶材坯体,放置5‑10天;对位:将ITO靶材坯体放置在承烧板上;烧结:将承烧板放置在烧结炉内,盖上炉盖,向烧结炉内通入氧气;缩板:控制承烧板聚拢,烧结完成降温开炉,得到相对密度大于90%的ITO靶材;对ITO靶材坯体烧结过程中的垂直方向收缩偏差做出补偿,使制得ITO靶材更加均匀,从而提高ITO靶材磁控溅射的利用率;其中缩板步骤中使用一种ITO靶材烧结尺寸控制装置,此装置通过转动盘上的弧形槽带动控制杆沿转
一种氧气氛无压烧结法制备ITO靶材的方法.pdf
本发明公开了具有较强创新性的烧结ITO靶材的方法,其目的是通过对烧结工艺的优化,实现无压氧气氛烧结,最终得到高致密度、高性能的靶材。该方法以烧结法为基础,根据ITO靶材的烧结特性,采用分段烧结工艺,通过控制进入炉膛的氧气流量来控制烧结气氛中的氧分压,抑制ITO靶材的分解,最终得到了致密度高于99.3%,导电性能好的靶材。本发明的氧气氛无压烧结法是一种新型的陶瓷烧结方法,主要应用于易分解的氧化物陶瓷的烧结,其设备简单,烧结制品不受尺寸限制,可生产大尺寸的陶瓷制品,应用这种方法制备ITO靶材尚属首次,制备得到