一种ITO靶材烧结尺寸控制方法.pdf
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相关资料
一种ITO靶材烧结尺寸控制方法.pdf
本发明公开了一种ITO靶材烧结尺寸控制方法,本发明作为一种ITO靶材烧结尺寸控制方法,通过晾坯:将ITO靶材坯体,放置5‑10天;对位:将ITO靶材坯体放置在承烧板上;烧结:将承烧板放置在烧结炉内,盖上炉盖,向烧结炉内通入氧气;缩板:控制承烧板聚拢,烧结完成降温开炉,得到相对密度大于90%的ITO靶材;对ITO靶材坯体烧结过程中的垂直方向收缩偏差做出补偿,使制得ITO靶材更加均匀,从而提高ITO靶材磁控溅射的利用率;其中缩板步骤中使用一种ITO靶材烧结尺寸控制装置,此装置通过转动盘上的弧形槽带动控制杆沿转
一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法.pdf
本发明属于ITO靶材生产技术领域,尤其是一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法,针对现有技术中坯体受热不均匀导致横向的烧结收缩率差异较大,靶材利用率低下,坯体下部与坯体其他部位受热存在差距,坯体的收缩阻力表现为收缩率从上到下呈梯度减小的问题,现提出如下方案,其包括:烧结炉,以及位于烧结炉内的承烧台,所述烧结炉内滑动连接有门板,所述烧结炉远离门板的一侧内壁固定连接有弧形限位板,所述承烧台的底部设有多个万向轮,本发明中,通过带动承烧台和胚体转动,使胚体在烧结炉内受热均匀,避免胚体出现变形,且扇叶转动将烧结
一种高致密度ITO靶材的烧结方法.pdf
一种高致密度ITO靶材的烧结方法,先将ITO坯体放进干燥脱脂炉中进行干燥脱脂,再将ITO坯体放在承烧板上并送入氧压炉中,以2~5°C/min的速度升温至500~800°C时第一保温1~5h并通入氧气,以0.5~2°C/min的速度升温至1000~1400°C时第二保温1~5h,氧气流量调整8~30L/min,再以0.5~2°C/min的速度升温至1500~1650°C时第三保温20~60h,氧气流量调整5~20L/min,之后以0.5~2°C/min的速度降温至1200°C,此时关闭氧气并使氧压炉内的压力
一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法.pdf
本发明公开了一种高效透氧的ITO靶材摆放‑烧结方法,步骤如下:1)将ITO粉末成型,得到ITO靶坯,再对ITO靶坯进行干燥;2)将垫片放置在承烧板上,再在垫片上放置一层直径0.5~1mm的瓷球,再将ITO靶坯放置在瓷球上;3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结,再进行打磨,得到ITO靶材。本发明可以大大提高ITO靶坯烧结时的透氧率,增加了ITO靶材烧结后的密度,提高了ITO靶材的质量,且烧结后ITO靶材底面不会产生垫片印,不会污染靶材,减少了后加工过程中因磨削而造成的靶材消耗。
一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法.pdf
本发明涉及一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法,具体步骤是:选取超高活性ITO纳米粉,将造粒后的ITO粉通过模压成型,成型压力25~80MPa,保压时间15~300秒;再经冷等静压加固,等静压压力为180~300MPa,保压时间为300~1200秒;然后直接放入烧结炉中,通入气氛并以一定的升温速率,分多段升温保温,再以一定的速率进行降温至室温来完成烧结。其特点是,将添加成型剂造粒后的ITO粉通过模压成型,冷等静压加固后,直接放入烧结炉进行烧结。将原有的脱脂过程通过烧结制程的设计,融入烧结过程,一并在烧结炉