一种ITO靶材烧结尺寸控制方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114702312A(43)申请公布日2022.07.05(21)申请号202210415504.4(22)申请日2022.04.18(71)申请人株洲火炬安泰新材料有限公司地址412000湖南省株洲市天元区天易科技城自主创业园一期A5栋(72)发明人唐安泰(74)专利代理机构长沙鑫泽信知识产权代理事务所(普通合伙)43247专利代理师李翠梅(51)Int.Cl.C04B35/457(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/64(2006.01)C23C14/34(2006.01)C23C14/35(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种ITO靶材烧结尺寸控制方法(57)摘要本发明公开了一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，本发明作为一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，通过晾坯：将ITO靶材坯体，放置5‑10天；对位：将ITO靶材坯体放置在承烧板上；烧结：将承烧板放置在烧结炉内，盖上炉盖，向烧结炉内通入氧气；缩板：控制承烧板聚拢，烧结完成降温开炉，得到相对密度大于90％的ITO靶材；对ITO靶材坯体烧结过程中的垂直方向收缩偏差做出补偿，使制得ITO靶材更加均匀，从而提高ITO靶材磁控溅射的利用率；其中缩板步骤中使用一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，此装置通过转动盘上的弧形槽带动控制杆沿转动盘的径向移动，实现承烧板的收缩自如，从而补偿ITO靶材坯体底部收缩不足的问题。CN114702312ACN114702312A权利要求书1/1页1.一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、晾坯；将IT0粉体经搅拌和注浆所制得的ITO靶材坯体，放置在15‑25℃的环境下晾置5‑10天；S2、对位；将ITO靶材坯体放置在承烧板上，使ITO靶材坯体的重心投影在承烧板的中心位置；S3、烧结；将承烧板放置在烧结炉内，盖上炉盖，向烧结炉内通入氧气并保持在0.5‑0.8MPa的压力，烧结炉升温至500‑600℃后保温10‑12h；S4、缩板；控制承烧板聚拢，聚拢过程持续2‑10h，聚拢过程中烧结炉升温至1500‑1700℃，保温20‑40h，降温开炉，得到相对密度大于90％的ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，其特征在于：在步骤S1中，ITO粉体为氧化铟粉末和二氧化锡粉末的混合粉末，氧化铟粉末和二氧化锡粉末的比例为1∶9。3.根据权利要求1所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，其特征在于：在步骤S2中，承烧板为氧化铝材质，ITO靶材坯体至少有一个平面使其放置在承烧板上保持静置状态。4.根据权利要求1所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，其特征在于：在步骤S3中，烧结炉温度低于300℃，升温速率为300℃/hr，烧结炉温度达到300℃后，升温升温速率为100℃/hr。5.根据权利要求1所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，其特征在于：在步骤S4中，烧结炉升温速率为50℃/hr，烧结炉降温速率为300℃/hr。6.一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，提供如权利要求1‑5所述的一种一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，其特征在于：包括多个承烧板，所述承烧板为扇形薄板，多个所述承烧板合围形成一个圆形薄板，每个所述承烧板的一端都固定设有一个滑槽，每个所述滑槽的一侧设有一个限位块，多个所述限位块分别与多个所述滑槽滑动连接，所述限位块固定设置在连接杆上，所述连接杆固定设置在箱体上。7.根据权利要求6所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，其特征在于：所述箱体内部设有工作空间，所述工作空间的一端有豁口，所述工作空间的一侧内壁上固定设有电机，所述电机的一侧设有变速箱，所述变速箱固定设置在所述工作空间远离所述豁口的一侧内壁上，所述变速箱与所述电机传动连接，所述变速箱靠近所述豁口的一侧设有转动盘，所述转动盘与所述变速箱传动连接。8.根据权利要求7所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，其特征在于：每个所述转动盘的一侧设有多个弧形槽，多个所述弧形槽以所述转动盘的圆心呈环形矩阵布设，每个所述弧形槽两端与所述转动盘的圆心距离不等。9.根据权利要求8所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，其特征在于：每个所述承烧板上固定设有一个控制杆，每个所述控制杆远离所述承烧板的一端都分别与一个所述弧形槽滑动连接。10.根据权利要求9所述的一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，其特征在于：所述豁口的截面呈圆形，所述豁口与所述转动盘同轴心，所述豁口的内径大于所述转动盘的直径。2CN114702312A说明书1/5页一种ITO靶材烧结尺寸控制方法技术领域[0001]本发明属于ITO靶材生产技术领域，具体涉及一种ITO靶材烧结尺寸控制方法。背景技术[0002]目前