一种高密度ITO靶材的常压烧结方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112898013A(43)申请公布日2021.06.04(21)申请号202110242920.4(22)申请日2021.03.05(71)申请人株洲火炬安泰新材料有限公司地址412000湖南省株洲市天元区天易科技城自主创业园一期A5栋(72)发明人唐智勇(74)专利代理机构长沙鑫泽信知识产权代理事务所(普通合伙)43247代理人刁飞(51)Int.Cl.C04B35/457(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/64(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种高密度ITO靶材的常压烧结方法(57)摘要本发明公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：S1、ITO平面素坯的放置：将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯，相邻ITO平面素坯通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结：在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯进行烧结，ITO平面素坯采用分段式烧结。本发明解决了传统ITO靶材常压烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。CN112898013ACN112898013A权利要求书1/2页1.一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、ITO平面素坯(2)的放置将ITO平面素坯(2)置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯(2)，相邻ITO平面素坯(2)通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯(2)进行烧结，ITO平面素坯(2)采用分段式烧结，分段式烧结过程为：以2‑6℃/min升温至600‑800℃，保温5‑10h，氧气流量8L/min；再以0.5‑3℃/min升温至1300‑1400℃，保温10‑20h，氧气流量13L/min；再以0.5‑2℃/min升温至1500‑1700℃，保温20‑60h，氧气流量18L/min，制得高密度ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：在步骤S2中，ITO平面素坯(2)在烧结炉内烧结之前，先对ITO平面素坯(2)进行脱脂和烧结炉抽真空处理。3.根据权利要求2所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：脱脂处理的处理温度为500‑800℃，脱脂时间为30‑80h。4.根据权利要求1所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：在ITO平面素坯(2)中，In2O3/SnO2的质量比为9∶1。5.根据权利要求1‑4中任一所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：所述支撑装置包括固定在所述烧结炉内的固定板(1)，所述固定板(1)顶面为用于放置所述ITO平面素坯(2)的放置面(3)，所述放置面(3)为倾斜设置，所述放置面(3)上开设有用于氧气填充的凹槽(4)，所述凹槽(4)设置有多个，多个所述凹槽(4)沿所述放置面(3)倾斜方向等间距布置；所述放置面(3)下端固定有用于限制所述ITO平面素坯(2)向下滑动的定位块(6)，所述定位块(6)与所述ITO平面素坯(2)接触，所述固定板(1)上设置有推动机构(7)，所述推动机构(7)用于推动所述ITO平面素坯(2)沿所述放置面(3)倾斜方向向上滑动，以使所述固定板(1)脱离所述定位块(6)。6.根据权利要求5所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：所述推动机构(7)包括推块(71)、空腔(73)、滑板(74)、电机、齿轮(75)、转轴(76)和腔室(77)；所述空腔(73)和所述腔室(77)均位于所述固定板(1)内，所述腔室(77)位于所述空腔(73)下方且与所述空腔(73)连通，所述转轴(76)一端与所述腔室(77)侧壁转动连接，另一端与所述电机输出轴连接，所述空腔(73)顶部开设有槽孔(72)，所述槽孔(72)长度方向与所述放置面(3)倾斜方向相同；所述推块(71)位于所述ITO平面素坯(2)下端一侧，所述推块(71)插设在所述槽孔(72)内且与所述滑板(74)固定，所述滑板(74)位于所述空腔(73)内，所述滑板(74)底面设置有齿面(78)，所述齿轮(75)位于所述滑板(74)下方且与所述齿面(78)啮合设置，所述齿轮(75)位于所述腔室(77)内且固定在所述转轴(76)上。7.根据权利要求6所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：所述推块(71)和所述定位块(6)分别位于所述ITO平面素坯(2)同一侧，所述槽孔(72)与所述放置面(3)下端边缘的距离小于所述定位块(6