高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105551703A(43)申请公布日2016.05.04(21)申请号201610125172.0(22)申请日2016.03.07(71)申请人中国振华集团云科电子有限公司地址550018贵州省贵阳市新添大道北段252号(72)发明人陈庆红韩玉成朱雪婷温占福陈思纤(74)专利代理机构贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙)52109代理人杨云(51)Int.Cl.H01C17/065(2006.01)H01C17/22(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法(57)摘要本发明公开了一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法，属于厚膜片式电阻器的制造方法；旨在提供一种生产效率高，产品性能可靠、使用寿命长的厚膜电阻器的制造方法。其步骤如下：将印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空炉中匀速加热至标称烧结温度T0，保温，匀速冷却；若阻值偏差率Δ0大于5%，则需将陶瓷基片送入真空炉中进行多次热处理，直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%。本发明不仅可避免激光切割而造成的断口、消除产品薄弱点，而且还可以消除电阻体内部微缺陷，提高电阻膜层的致密度以及膜层表面平整度、提高产品可靠性和使用寿命；是一种制造厚膜电阻器的方法。CN105551703ACN105551703A权利要求书1/1页1.一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法，包括电阻体烧结、电阻体阻值修正；其特征在于步骤如下：1）将表面印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空度为9×10-4Mp的加热炉中进行烧结，在陶瓷基片表面形成电阻体；保证温度在15～25min内匀速升至标称烧结温度T0、保温10～20min、然后在15～25min内匀速冷却至室温；2）根据电阻体的阻值R、电阻器的目标阻值R0，算出电阻器的阻值偏差率Δ0=|（R-R0）/R|；-43）若阻值偏差率Δ0大于5%，则需将陶瓷基片送入真空度为9×10Mp的加热炉中进行多次热处理，直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%，Δn=|（Rn-R0）/Rn|；每次热处理时，保证温度在15～25min内匀速升温至Tn=Tn-1×（1-Δn-1）、保温10～20min、然后在15～25min内匀速冷却至室温，Δn为第n次热处理后电阻体的阻值偏差率、Rn为第n次热处理后电阻体的阻值、Tn为第n次热处理的目标温度、n为热处理的次数。2CN105551703A说明书1/2页高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法技术领域[0001]本发明涉及厚膜片式电阻器的制造方法，尤其涉及一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法。背景技术[0002]目前，高压、高功率厚膜电阻器的电阻膜层烧结厚度通常大于10μm；由于在电阻浆料印刷、电阻体烧结过程中，电阻器阻值很难精确控制，因此在电阻体烧结完成后通常需要采用激光调阻方法来修正电阻器的阻值（如CN201110411756）。即通过高能激光束切割电阻体膜层的方式来增大电阻体的有效长度、增大产品阻值，以达到目标阻值。该方法采用高能激光束需要非常大的功率才能实现较完整切割，不仅陶瓷基片会受到一定程度损伤，而且切割过程中对电阻膜层也会产生了热损伤；另外，由于产品通常在高压、高功率环境下使用，在切口处会形成产品的薄弱点，导致产品可靠性和寿命大大降低。第三，采用激光切割法调整、修正电阻器阻值还存在劳动强度大、效率低等缺陷。第四，传统方法制作高压、高功率厚膜电阻器，需要进行两次玻璃包封；不仅工艺复杂，而且激光调阻还容易对覆盖在电阻体表面的第一次玻璃体造成破坏，影响产品可靠性和寿命。发明内容[0003]为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明旨在提供一种劳动强度小、生产效率高，产品性能可靠、使用寿命长的高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法。[0004]为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：包括电阻体烧结、电阻体阻值修正；具体步骤如下：1）将表面印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空度为9×10-4Mp的加热炉中进行烧结，在陶瓷基片表面形成电阻体；保证温度在15～25min内匀速升至标称烧结温度T0、保温10～20min、然后在15～25min内匀速冷却至室温；2）根据电阻体的阻值R、电阻器的目标阻值R0，算出电阻器的阻值偏差率Δ0=|（R-R0）/R|；-43）若阻值偏差率Δ0大于5%，则需将陶瓷基片送入真空度为9×10Mp的加热炉中进行多次热处理，直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%，Δn=|（Rn-R0）/Rn|；每次热处理时，保证温度在15～25min内匀速升温至Tn=Tn-1×（1-Δn-1）、保温10～20min、然后在15～25min内匀速冷却至室温，Δn为第n次热处理后电阻体的阻值偏差率