降低多晶硅片翘曲度的装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102345165A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102345165A(43)申请公布日2012.02.08(21)申请号201110231808.7(22)申请日2011.08.14(71)申请人上海合晶硅材料有限公司地址201617上海市松江区贵南路500号(72)发明人江笠(74)专利代理机构上海脱颖律师事务所31259代理人李强(51)Int.Cl.C30B28/14(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称降低多晶硅片翘曲度的装置(57)摘要本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管，弥散管两端均设置有进口；弥散管管壁上设置有多个通孔；弥散管通过通孔与反应炉管连通。本发明通过选择合适的装置，在硅片表面生长多晶薄膜后，WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。CN1023456ACCNN110234516502345185A权利要求书1/1页1.降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管，弥散管两端均设置有进口；弥散管管壁上设置有多个通孔；弥散管通过通孔与反应炉管连通。2.根据权利要求1所述的降低多晶硅片翘曲度的装置，其特征在于，位于反应炉管内的弥散管中间0.3倍管长范围内的通孔密度为其他部分的通孔密度的5-15倍。3.根据权利要求2所述的降低多晶硅片翘曲度的装置，其特征在于，位于反应炉管内的弥散管上的通孔以位于反应炉管内的弥散管中点为中心对称设置。2CCNN110234516502345185A说明书1/4页降低多晶硅片翘曲度的装置技术领域[0001]本发明涉及一种降低多晶硅片翘曲度的装置。背景技术[0002]如图1所示为现有技术中多晶硅薄膜生长装置，其包括反应炉管1，反应炉管1上下分别设置有电加热器12。反应炉管1内底部设置有进气管2。进气管2一端设置有进口21。进气管2管壁设置有均匀分布的通孔(图中未示出)。一部分反应气体自进口21，经进气管2横向流动后穿过通孔进入反应炉管1内。反应炉管1内远离进气管2的进口21的一端设置有炉口进气管3。炉口进气管3的上端设置有进口31。炉口进气管3的管壁上设置有通孔(图中未示出)。另一部分反应气体自进口31进入炉口进气管3纵向流动后穿过通孔进入反应炉管1内。反应炉管1靠近进气管2的进口21的一端设置有抽气管11。抽真空装置(图中未示出)经抽气管11抽出反应炉管1内的气体，以增加反应炉管1内的反应气体的流动性。这种生长多晶的装置缺点之一是反应气体分布不均匀，导致生长的多晶薄膜厚度不均匀，且易造成生长多晶后的硅片翘曲度超出使用要求的标准。未生长多晶薄膜前的硅片WARP平均值一般为10左右。在有些应用领域，需要WARP≤37。利用现有技术中的装置和方法，经过多晶工艺后，WARP增加量平均27.47，无法达到使用要求，增幅过大造成不良率上升。在硅片表面生长多晶后，翘曲度均会增加。增加幅度过大时无法满足使用要求。[0003]多晶生长工艺的各参数值对翘曲度增加幅度也会产生影响，寻找一种可降低多晶硅片翘曲度的生产方法及装置以解决翘曲度过大是本领域内重要的技术问题。发明内容[0004]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供防止生长多晶后的硅片翘曲度过大、可降低多晶硅片翘曲度的装置。[0005]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：[0006]降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管，弥散管两端均设置有进口；弥散管管壁上设置有多个通孔；弥散管通过通孔与反应炉管连通。[0007]优选地是，位于反应炉管内的弥散管中间0.3倍管长范围内的通孔密度为其他部分的通孔密度的5-15倍。[0008]所述的0.3倍管长是指自位于反应炉管内的弥散管中点分别向两端延伸0.15倍的长度。[0009]优选地是，位于反应炉管内的弥散管上的通孔以位于反应炉管内的弥散管中点为中心对称设置。[0010]离进口越近，则压力越大，压力越大，则流速越快。而弥散管中部是离气源最远的地方，因此在弥散管靠近进口的地方稀疏设置通孔，而中部密集设置通孔，可有助于反应管3CCNN110234516502345185A说明书2/4页内的压力均匀。[0011]本发明通过选择合适的装置，在硅片表面生长多晶薄膜后，WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。附图说明[0012]图1为现有技术中使用的在硅片表面生长多晶硅薄膜的装置结构示意图。[0013]图2为本发明中使用的在硅片表面生长多晶硅薄膜的装置结构示意图。[0014]图3为本发明中的位于反应炉管