一种硫化镉靶材制备方法及装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105693248A(43)申请公布日2016.06.22(21)申请号201511002673.1(22)申请日2015.12.25(71)申请人清远先导材料有限公司地址511517广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号(72)发明人胡智向朱刘刘留(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人杨炳财屈慧丽(51)Int.Cl.C04B35/547(2006.01)C04B35/645(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种硫化镉靶材制备方法及装置(57)摘要本发明提供一种硫化镉靶材制备方法，将硫化镉粉体装入模具中预压成型，得到预压后的硫化镉粉体；将所述预压后的硫化镉粉体装入热压烧结炉内，热压真空烧结，得到硫化镉靶材。本发明硫化镉靶材的制备，烧结与压制是在同一台设备，同一个工艺中同时进行的，中间环节和操作步骤少，对靶材和环境的污染小；使用高纯硫化镉粉体作为原料，不需要用到氯化镉做助溶剂，靶材纯度高。本发明还提供一种硫化镉靶材制备装置。CN105693248ACN105693248A权利要求书1/1页1.一种硫化镉靶材制备方法，其特征在于，将硫化镉粉体装入模具中预压成型，得到预压后的硫化镉粉体；将所述预压后的硫化镉粉体装入热压烧结炉内，热压真空烧结，得到硫化镉靶材。2.根据权利要求1所述的硫化镉靶材制备方法，其特征在于，所述硫化镉靶材制备方法还包括：将多层所述预压后的硫化镉粉体装入热压烧结炉内，所述预压后的硫化镉粉体使用石墨垫片隔开。3.根据权利要求1或2所述的硫化镉靶材制备方法，其特征在于，所述硫化镉粉体纯度为4～5N，粉体粒径为1微米～200微米。4.根据权利要求1或2所述的硫化镉靶材制备方法，其特征在于，所述热压真空烧结的过程为：将真空抽至5Pa以下；对炉体进行升温加热，首先以8～12℃/min速率升温至350～550℃，保温30～60min；以5～8℃/min速率升温至650～850℃，保温100～180min；加热至700～800℃，保温20～50min；开启热压烧结炉液压站向所述预压后的硫化镉粉体提供垂直方向压力，压力增值速率为2～5T/min，压力加至85～120T；保持压力和温度恒定30～50min；压力保持不变，降温至600℃；温度保持不变，压力降低为零；温度降为20～30℃。5.根据权利要求1或2所述的硫化镉靶材制备方法，其特征在于，所述模具为热等静压石墨模具。6.一种硫化镉靶材制备装置，使用权1至权6任一项所述的硫化镉靶材制备方法制备硫化镉靶材，其特征在于，包括：预压单元，用于预压硫化镉粉体；热压烧结炉，用于将预压单元预压后的硫化镉粉体真空烧结。7.根据权利要求6所述的硫化镉靶材制备装置，其特征在于，所述预压单元包括靶材模具和液压站。8.根据权利要求6所述的硫化镉靶材制备装置，其特征在于，所述热压烧结炉包括真空系统、温度控制系统和液压站。9.根据权利要求8所述的硫化镉靶材制备装置，其特征在于，所述真空系统包括滑阀真空泵和罗茨泵。10.根据权利要求7所述的硫化镉靶材制备装置，其特征在于，所述靶材模具包括石墨垫片，用于制备多层靶材时将所述预压硫化镉粉体隔开。2CN105693248A说明书1/4页一种硫化镉靶材制备方法及装置技术领域[0001]本发明属于半导体材料领域，尤其涉及一种硫化镉靶材制备方法及装置。背景技术[0002]硫化镉是硫和镉的无机化合物，化学式为CdS。它是一种N型光电半导体材料，属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。分子量144.76，属六方晶格结构，晶格常数5.86×10-10m，熔点1750℃，沸点980℃。禁带宽度2.41电子伏，电子和空穴的迁移率分别为2×10-2和2×10-3平方米/伏·秒，相对介电常数11.6。[0003]硫化镉光导体，突出的优点是静电潜像电位差大，复印出的图像反差大。因表层加有绝缘膜，使光导体的耐磨性好。由于对光的灵敏度高，能用在各种速度的机器上，价格便宜，并且可制成大面积器件。[0004]现有技术制备硫化镉靶材，一般采用氯化镉做为助溶剂，将氯化镉混入硫化镉，经烘干、陈腐、压制再真空烧结，得到硫化镉靶材，分为多段不同设备来完成的靶材的制备。[0005]现有制备硫化镉靶材的方法，由于使用氯化镉作为助溶剂，虽然在烧结过程中氯会有挥发，但依然会有部分残留在靶材中，成为杂质元素，靶材纯度较低；并且现有技术制备硫化镉靶材需要多台设备完成，中间环节和操作步骤较多，使得硫化镉靶材纯度降低；由于硫化镉粉尘有毒性，制备过程中扩散到空气中的硫化镉粉尘对环境也产生污染。发明内容[0006]本发明提供了一种硫化镉靶材制备方法及装置，本发明提供的硫化镉靶材制备方法及装置中间环节和操作步骤