一种硫化钨靶材的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108585868A(43)申请公布日2018.09.28(21)申请号201810568118.2(22)申请日2018.06.05(71)申请人河北东同光电科技有限公司地址050000河北省石家庄市裕华区循环化工园区化工中路100号(72)发明人康明生崔娜朱辉郄奕张卫李松敏(74)专利代理机构石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)13115代理人李彤晓(51)Int.Cl.C04B35/547(2006.01)C04B35/622(2006.01)C23C14/34(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种硫化钨靶材的制备方法(57)摘要一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300-1550℃，烧结压力25-38MPa，并保温保压2-5h，烧结完成后，降温至810-850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。CN108585868ACN108585868A权利要求书1/1页1.一种硫化钨靶材的制备方法，采用真空热压烧结制备，特征在于：包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300-1550℃，烧结压力25-38MPa，并保温保压2-5h，烧结完成后，降温至810-850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。2.根据权利要求1所述的一种硫化钨靶材的制备方法，特征在于：步骤A所述混合物料中，按重量百分比计，包含硫化钨82-93％、二硫化钼粉体5-15％、碳粉2-3％。3.根据权利要求1所述的一种硫化钨靶材的制备方法，特征在于：所述硫化钨的纯度≥99.95％，二硫化钼粉体的纯度≥99.95％，碳粉的纯度≥99.95％。4.根据权利要求1所述的一种硫化钨靶材的制备方法，特征在于：所述步骤B真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1400-1500℃，烧结压力28-32MPa，并保温保压3-4h，烧结完成后，降温至820-840℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯。5.根据权利要求1所述的一种硫化钨靶材的制备方法，特征在于：所述步骤B真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1450℃，烧结压力30MPa，并保温保压3.5h，烧结完成后，降温至830℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯。2CN108585868A说明书1/6页一种硫化钨靶材的制备方法技术领域[0001]本发明属于非金属靶材的技术领域，涉及硫化钨的制备，具体涉及一种硫化钨靶材的制备方法，本方法制备出了硫化钨靶材，填补了硫化钨靶材的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。背景技术[0002]目前全球各主要靶材制造商的总部大多设立在美国、德国和日本，世界上主要的靶材生产商包括ToshSMD、SumitomoMetalMining、Honeywell、HitachiMetals、NikkoMateriaks等公司。目前，亚洲的一些国家和地区，如中国台湾、韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件等产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。对靶材厂商而言，这是非常重要的新兴市场，也是我们进入这一市场的机会。[0003]硫化钨靶材主要应用于平面显示器和薄膜太阳能制造行业，镀到加工件上，起到耐高温、润滑的作用，例如目前用于汽车等轴承上。硫化钨(WS2)具有特殊的层状结构，使其具有优异的润滑性能，承载能力高，摩擦因数低，是最常用的润滑剂之一，能耐高温高压，被誉为“高级固体润滑油王”。它还有抗磁性，可用作线性光电导体和显示P型和N型导电性能的半导体，具有整流和换能的作用。硫化钨早在1950年已用于军事，1965年列入美国现行的MIL标准，如今已被广泛应用于国防、机械、超高真空等领域，尤其在航空航天工业中，更有着巨大的潜力。[0004]我国目前能生产硫化钨靶材的企业非常少，其工艺主要是以粉末冶金的方法为主，这种工艺存在1.产品相对密度较难保证；2.产品纯度低；3.产品规格尺寸难于做大(很难超