一种锡酸镉靶材的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113213914A(43)申请公布日2021.08.06(21)申请号202110421876.3(22)申请日2021.04.19(71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司地址511517广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区(72)发明人文崇斌余芳朱刘童培云(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人颜希文魏微(51)Int.Cl.C04B35/457(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/645(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种锡酸镉靶材的制备方法(57)摘要本发明公开了一种锡酸镉靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化镉、二氧化锡和锡酸镉粉末混合均匀，所述氧化镉、二氧化锡和锡酸镉的摩尔比为：2：1：1～2；(2)将混合好的物料装入模具中，放入真空热压炉中；(3)抽真空，升温至500～700℃，保温T1＝20～60min后加压，在10～40MPa下保持T2＝20～40min，保温总时长T3＝50～80min，T1＜T3；(4)降温、降压、脱模，即得所述锡酸镉靶材。本发明所述制备方法用氧化镉、二氧化锡原料直接真空热压烧结，降低了靶材烧结的温度，锡酸镉粉末的加入可以避免氧化镉和二氧化锡的反应过快，导致喷料、损坏模具等不良现象的发生，制得的靶材相对密度＞96％。CN113213914ACN113213914A权利要求书1/1页1.一种锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将氧化镉、二氧化锡和锡酸镉粉末混合均匀，所述氧化镉、二氧化锡和锡酸镉的摩尔比为：氧化镉：二氧化锡：锡酸镉＝2：1：1～2；(2)将步骤(1)混合好的物料装入模具中，放入真空热压炉中；(3)抽真空，升温至500～700℃，保温T1＝20～60min后加压，在10～40MPa下保持T2＝20～40min，保温总时长T3＝50～80min，T1＜T3；(4)降温和降压至室温常压，脱模，即得所述锡酸镉靶材。2.如权利要求1所述锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述粉末的粒径为D50＝1～5μm。3.如权利要求1所述锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述抽真空为抽真空至真空度达到10Pa。4.如权利要求1所述锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述升温的升温速率为2～10℃/min。5.如权利要求1所述锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述降温和降压为：先降温至300～350℃，把压力降至5～15MPa，然后降温至室温，打开炉门。6.如权利要求1所述锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于，所述模具为石墨模具。2CN113213914A说明书1/4页一种锡酸镉靶材的制备方法技术领域[0001]本发明涉及靶材制备技术领域，具体涉及一种锡酸镉靶材的制备方法。背景技术[0002]锡酸镉(Cd2SnO4)是一种三元氧化物，n型半导体，由于它的特殊电子结构，使其具有许多优异的光学和电学特性，锡酸镉兼具宽带隙、低电阻率、高可见光透射率、较高载流子迁移率等优势，其电阻率可低至10‑6Ω·cm数量级，在可见光范围内平均透射率达到90％以上，是一种综合性能较出色的透明导电材料，在太阳能领域中优势明显，可成为多种太阳能薄膜材料的替代品，市场前景十分良好。[0003]锡酸镉薄膜不但具备TCO薄膜的特性，而且它比SnO2薄膜、ITO薄膜具有更好的耐磨性、抗腐蚀性、稳定性且成本低廉，具备很强的替代能力，已被广泛应用于透明电极及各种敏感器件领域，具有广阔的发展空间。[0004]目前真空热压靶材一般是将粉末装入模具中，热压温度越高，对模具的性能要求越高，材料也越昂贵。发明内容[0005]本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种锡酸镉靶材的制备方法。[0006]为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种锡酸镉靶材的制备方法，包括以下步骤：[0007](1)将氧化镉、二氧化锡和锡酸镉粉末混合均匀，所述氧化镉、二氧化锡和锡酸镉的摩尔比为：氧化镉：二氧化锡：锡酸镉＝2：1：1～2；[0008](2)将步骤(1)混合好的物料装入模具中，放入真空热压炉中；[0009](3)抽真空，升温至500～700℃，保温T1＝20～60min后加压，在10～40MPa下保持T2＝20～40min，保温总时长T3＝50～80min，T1＜T3，T2＜T3，T1+T2≤T3；[0010](4)降温和降压至室温常压，脱模，即得所述锡酸镉靶材。[0011]本发明所述锡酸镉靶材的制备方法用氧化镉、二氧化锡原料直接真空热压烧结，降低了靶材烧结的温度，同时加入一定量的锡酸镉粉末，可以避免氧化镉和二