N型双面电池及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104538501A(43)申请公布日2015.04.22(21)申请号201510020649.4(22)申请日2015.01.15(71)申请人中利腾晖光伏科技有限公司地址215300江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号(72)发明人魏青竹陆俊宇连维飞倪志春(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人唐灵常亮(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/0352(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L21/228(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称N型双面电池及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种N型双面电池及其制作方法，其中，制作方法包括如下步骤：S1.制绒处理；S2.通过旋涂或丝网印刷的方式在所述N型硅片的上表面均匀涂上硼源，并在炉管中进行硼扩散；S3.制作掩膜；S4.在N型硅片的下表面进行磷扩散，在下表面形成高低结结构；S5.去所述除磷硅玻璃，以及所述步骤S3中制作的掩膜；S6.在扩散硼的表面制作氧化铝和氮化硅形成的钝化减反膜，在扩散磷的表面制作氮化硅钝化减反膜；S7.制作电极。本发明的N型双面电池的制作方法工艺简单，有效地提高了电池的效率。此外，本发明的N型双面电池的钝化层制作方法属于低温工艺，不会破坏PN结。CN104538501ACN104538501A权利要求书1/2页1.一种N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述N型双面电池的制作方法包括如下步骤：S1.利用碱溶液对N型硅片的上、下表面进行处理；S2.通过旋涂或丝网印刷的方式在所述N型硅片的上表面均匀涂上硼源，并在炉管中进行硼扩散；S3.去除硼硅玻璃，并在扩散硼的表面制作掩膜；S4.在N型硅片的下表面进行磷扩散，在下表面形成高低结结构；S5.去所述除磷硅玻璃，以及所述步骤S3中制作的掩膜；S6.在扩散硼的表面制作氧化铝和氮化硅形成的钝化减反膜，在扩散磷的表面制作氮化硅钝化减反膜；S7.分别在所述氧化铝和氮化硅形成的钝化减反膜以及氮化硅钝化减反膜上制作电极，获得所述N型双面电池。2.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，利用NaOH溶液去除损伤层，并在N型硅片的上、下表面进行制绒处理。3.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，在炉管中进行硼扩散是在氧气和氮气形成的混合气气氛下进行的，其中，氧气与氮气的体积比为1:5～1:20；在炉管中进行硼扩散的条件为：扩散温度为850～1100℃，扩散时间为45min～2h，扩散方阻为40～100Ω。4.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用HF溶液清洗去除硼硅玻璃，并采用PECVD法在扩散硼的表面制作氧化硅或氮化硅形成的掩膜。5.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，进行磷扩散的条件为：扩散温度为800～900℃，扩散时间为30min～2h，扩散方阻为20～60Ω。6.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，采用PECVD或ALD法制作氧化铝和氮化硅形成的钝化减反膜，采用PECVD法制作氮化硅钝化减反膜。7.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，采用丝网印刷的方式，分别在所述氧化铝和氮化硅形成的钝化减反膜以及氮化硅钝化减反膜上制作栅线状的电极，并烧结。8.一种根据权利要求1～7任一项所述的制作方法制作的N型双面电池，其特征在于，所述N型双面电池包括：N型硅片衬底、P型层、第一钝化减反膜、N+层、第二钝化减反膜、栅线电极；所述P型层、第一钝化减反膜依次设置于所述N型硅片衬底的上表面，所述第一钝化减反膜包括氧化铝和氮化硅，所述氧化铝和氮化硅依次层叠设置于所述P型层上；所述N+层、第二钝化减反膜依次设置于所述N型硅片衬底的下表面，所述第二钝化减反膜为氮化硅钝化减反膜；所述栅线电极为若干条，所述栅线电极分别分布于所述第一钝化减反膜和第二钝化减2CN104538501A权利要求书2/2页反膜上，所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极，位于第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上的主栅线电极对称设置。9.根据权利要求8所述的N型双面电池，其特征在于，所述第一钝化减反膜的厚度为70～90nm，所述第一钝化减反膜中氧化铝的厚度为5～30nm，氮化硅的厚度为40～85nm。10.根据权利要求8所述的N型双面电池，其特征在于，所述主栅线电极的根数为2～5根，宽度为0.5mm～2.5mm；所述副栅线电极的根数为50～150根，